[实用新型]一种晶体硅太阳电池主栅结构有效

专利信息
申请号: 201120135039.6 申请日: 2011-04-30
公开(公告)号: CN202076273U 公开(公告)日: 2011-12-14
发明(设计)人: 杨阳;邓伟伟;冯志强;黄强 申请(专利权)人: 常州天合光能有限公司
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224
代理公司: 常州市维益专利事务所 32211 代理人: 王凌霄
地址: 213031 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 晶体 太阳电池 结构
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及硅太阳电池栅线技术领域,特别是一种晶体硅太阳电池主栅结构。

背景技术

随着银材料价格上涨,银浆在太阳能电池组件成本中所占的比例越来越大。银浆在太阳能电池丝网印刷中用于细栅和主栅,主栅线可以收集太阳电池从细栅线传导过来的电流,并作为焊接焊带的可焊接衬底。一般主栅线为2到3根,通常宽度在1.5到1.8mm,需要消耗总印刷浆料的30%到40%。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是:提供一种晶体硅太阳电池主栅结构,在不影响电池IV测试分档和组件输出功率的情况下,减少银浆的使用量。

本实用新型解决其技术问题所采用的方案是:一种晶体硅太阳电池主栅结构根据不同电池IV测试仪的探针分布情况,其主栅仅在测试探针接触点附近印刷银浆,其余部分镂空,在电池片上形成1条或多条中部镂空的主栅线。

本实用新型的有益效果是:减少银浆用量,同时不影响电池的IV测试分档,尽管此主栅结构的电池,由于主栅串联电阻Rs稍大,导致电池效率降低约0.1%,但焊接上导电性能相对较好的焊带后,这部分Rs的损失将被弥补,组件输出功率基本保持不变。这样,可以降低组件每瓦的成本,提高产品的竞争力。

附图说明

下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明;

图1是常规主栅线的结构示意图;

图2是本实用新型的主栅线的结构示意图;

图中,1、主栅线,2测试探针接触点。

具体实施方式

以下为一具体的实施案例:

实验选取了125×125mm2的800片CZ单晶硅片,电阻率为1.50hmcm。将这些硅片分为两组各400片,一组采用如图1所示的常规主栅线设计。

另外一组采用如图2所示本实用新型的主栅线设计。仅在电池IV测试的测试探针接触点2附近印刷银浆,在电池片上形成1条或多条中部镂空的主栅线1。主栅线1的宽度为1.8mm,主栅线1中与测试探针接触的每一段长度H为6mm。除了前栅线网板设计有区别外,其他所有工艺均一样,包括前清洗、扩散、后清洗、镀SiNx膜和烧结。

实验结果显示:烧结前印刷银浆量的增重,从原来的135mg减为90mg;烧结后的焊带与主栅间的拉力强度>2N,符合组件技术规范要求。

表I为两组电池的IV参数对比,可见这样的镂空主栅对Voc和Isc均没有影响,但由于主栅Rs的增加导致FF降低约0.45%,效率降低约0.1%。表II为组件的IV参数对比,可见当主栅焊带上焊带后,Rs的损失得到弥补,最终的输出功率基本保持不变。

表I电池片

表II组件

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