[实用新型]一种晶体硅太阳电池主栅结构有效
申请号: | 201120135039.6 | 申请日: | 2011-04-30 |
公开(公告)号: | CN202076273U | 公开(公告)日: | 2011-12-14 |
发明(设计)人: | 杨阳;邓伟伟;冯志强;黄强 | 申请(专利权)人: | 常州天合光能有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
代理公司: | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人: | 王凌霄 |
地址: | 213031 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶体 太阳电池 结构 | ||
技术领域
本实用新型涉及硅太阳电池栅线技术领域,特别是一种晶体硅太阳电池主栅结构。
背景技术
随着银材料价格上涨,银浆在太阳能电池组件成本中所占的比例越来越大。银浆在太阳能电池丝网印刷中用于细栅和主栅,主栅线可以收集太阳电池从细栅线传导过来的电流,并作为焊接焊带的可焊接衬底。一般主栅线为2到3根,通常宽度在1.5到1.8mm,需要消耗总印刷浆料的30%到40%。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是:提供一种晶体硅太阳电池主栅结构,在不影响电池IV测试分档和组件输出功率的情况下,减少银浆的使用量。
本实用新型解决其技术问题所采用的方案是:一种晶体硅太阳电池主栅结构根据不同电池IV测试仪的探针分布情况,其主栅仅在测试探针接触点附近印刷银浆,其余部分镂空,在电池片上形成1条或多条中部镂空的主栅线。
本实用新型的有益效果是:减少银浆用量,同时不影响电池的IV测试分档,尽管此主栅结构的电池,由于主栅串联电阻Rs稍大,导致电池效率降低约0.1%,但焊接上导电性能相对较好的焊带后,这部分Rs的损失将被弥补,组件输出功率基本保持不变。这样,可以降低组件每瓦的成本,提高产品的竞争力。
附图说明
下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明;
图1是常规主栅线的结构示意图;
图2是本实用新型的主栅线的结构示意图;
图中,1、主栅线,2测试探针接触点。
具体实施方式
以下为一具体的实施案例:
实验选取了125×125mm2的800片CZ单晶硅片,电阻率为1.50hmcm。将这些硅片分为两组各400片,一组采用如图1所示的常规主栅线设计。
另外一组采用如图2所示本实用新型的主栅线设计。仅在电池IV测试的测试探针接触点2附近印刷银浆,在电池片上形成1条或多条中部镂空的主栅线1。主栅线1的宽度为1.8mm,主栅线1中与测试探针接触的每一段长度H为6mm。除了前栅线网板设计有区别外,其他所有工艺均一样,包括前清洗、扩散、后清洗、镀SiNx膜和烧结。
实验结果显示:烧结前印刷银浆量的增重,从原来的135mg减为90mg;烧结后的焊带与主栅间的拉力强度>2N,符合组件技术规范要求。
表I为两组电池的IV参数对比,可见这样的镂空主栅对Voc和Isc均没有影响,但由于主栅Rs的增加导致FF降低约0.45%,效率降低约0.1%。表II为组件的IV参数对比,可见当主栅焊带上焊带后,Rs的损失得到弥补,最终的输出功率基本保持不变。
表I电池片
表II组件
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的