[实用新型]气体输送装置及使用该气体输送装置的反应器有效
| 申请号: | 201120135038.1 | 申请日: | 2011-04-29 |
| 公开(公告)号: | CN202090055U | 公开(公告)日: | 2011-12-28 |
| 发明(设计)人: | 雷本亮 | 申请(专利权)人: | 中微半导体设备(上海)有限公司 |
| 主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
| 代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人: | 王洁 |
| 地址: | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 气体 输送 装置 使用 反应器 | ||
1.一种用于生长第III族元素和第V族元素化合物薄膜的反应器的气体输送装置,其特征在于,包括:
复数组气体通道群,其中每一组气体通道群至少包括由内而外依次套叠设置的一第一气体通道、一第二气体通道、一第三气体通道,所述复数组气体通道群中的每一个第一气体通道与一第一气体分布空间相连通,所述复数组气体通道群中的每一个第二气体通道与一第二气体分布空间相连通,所述复数组气体通道群中的每一个第三气体通道与一第三气体分布空间相连通;
其中,所述第一气体分布空间与一第一反应气体相连通,所述第二气体分布空间与一第一隔离气体相连通,所述第三气体分布空间与一第二反应气体相连通。
2.如权利要求1所述的气体输送装置,其特征在于:所述每一组气体通道群中的第一气体通道、第二气体通道、第三气体通道均为圆形通道,用共圆心设置。
3.如权利要求1或2所述的气体输送装置,其特征在于:所述气体输送装置包括呈平行并间隔设置的第一连接板、第二连接板、第三连接板、第四连接板及第五连接板,所述第一连接板和第二连接板之间的空间构成所述第一气体分布空间,所述第二连接板和第三连接板之间的空间构成所述第二气体分布空间,所述第三连接板和第四连接板之间的空间构成所述第三气体分布空间,所述第四连接板和第五连接板之间的空间构成一第四气体分布空间。
4.如权利要求3所述的气体输送装置,其特征在于:所述第二连接板上固定连接有复数个向下延伸的第一气体导管,所述第三连接板固定连接有复数个向下延伸的第二气体导管,所述第四连接板上固定连接有复数个向下延伸的第三气体导管,所述每一组气体通道群由所述一个第一气体导管、一个第二气体导管和一个第三气体导管构成,并且所述每一组气体通道群中的每一个第一气体导管、每 一个第二气体导管和每一个第三气体导管由内而外依次套叠在一起。
5.如权利要求4所述的气体输送装置,其特征在于:所述每一组气体通道群中的每一个第一气体导管、每一个第二气体导管和每一个第三气体导管由内而外依次共圆心地套叠在一起。
6.如权利要求1所述的气体输送装置,其特征在于:所述气体输送装置包括呈平行并间隔设置的第一连接板、第二连接板、第三连接板、第四连接板,所述第一连接板和第二连接板之间的空间构成所述第一气体分布空间,所述第二连接板和第三连接板之间的空间构成所述第二气体分布空间,所述第三连接板和第四连接板之间的空间构成所述第三气体分布空间,所述第四连接板内部设置有若干中空腔体以构成一第四气体分布空间,所述第二连接板上固定连接有复数个向下延伸的第一气体导管,所述第三连接板固定连接有复数个向下延伸的第二气体导管,所述第四连接板上设置有复数个通孔,所述每一组气体通道群中的每一个第一气体导管、每一个第二气体导管和每一个通孔的内侧壁由内而外依次套叠在一起。
7.如权利要求3所述的气体输送装置,其特征在于:所述第四气体分布空间与一冷却源相连通。
8.如权利要求1所述的气体输送装置,其特征在于:所述每一组气体通道群还包括一第四气体通道,所述每一组气体通道群中的每一个第一气体通道、每一个第二气体通道、每一个第三气体通道、每一个第四气体通道由内而外依次套叠设置。
9.如权利要求8所述的气体输送装置,其特征在于:所述复数组气体通道群中的每一个第四气体通道与一第四气体分布空间相连通,所述第四气体分布空间与一第二隔离气体相连通。
10.如权利要求8或9所述的气体输送装置,其特征在于:所述第四气体通道由设置在所述气体输送装置上的中空的圆柱形导管构成。
11.如权利要求8或9所述的气体输送装置,其特征在于:所述第四气体通道由设置在所述气体输送装置上的一连接板上的通孔构成。
12.一种用于生长第III族元素和第V族元素化合物薄膜的反应器,其特征在于,包括前述任一项权利要求所述的气体输送装置。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





