[实用新型]场效应管逆变推挽电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种场效应管逆变推挽电路。

背景技术

场效应管的各种性能优势在逆变器上完全淘汰了大功率晶体管。但采用场效应管的逆变器其综合可靠性远比晶体管差。影响其可靠性的原因包括过压、过流和抢通。过压和过流都好解决，但是为什么抢通只发生在采用场效应管而不发生在晶体管上呢？主要有以下三个原因，一是场效应管不需要推动电流，只需要推动电压，因此对推动级几乎没有要求，所以推动电路被大大简化。大功率晶体管对推动级有很高的要求，在逆变上采用了复杂的变压器推动电路。二是不管用场管或晶体管都必须保证管子不抢通。才能保证逆变器的可靠性，这点只有变压器推动能做到。所以用变压器推动逆变器具有很高的可靠性。三是变压器推动在晶体管是很成熟的电路，只是电路体积偏大。但是从来没有被应用在场效应管上。随着晶体管被场效应管取代，变压器推动电路逐渐被人们遗忘。我们只是把变压器推动电路优越的性能，用在对推动要求不高的场效应管上，从而大大提高了逆变器的可靠性。

但是场效应管逆变器在推动级上存在理论缺陷：主要表现在，一、现阶段场效应管逆变器在推动级上一般采用集成电路如3525和3524,494等，3525是目前公认的经典电路被广泛采用，因存在抢通的缺陷3525在电路设计上加上了死区调节，并采用了图腾柱输出，但是这些都是对缺陷的治疗措施，电路在正常情况下是不会有问题，但是刚上电的瞬间电路还不稳定。所以采用这些电路，发生场效应管抢通烧毁的情况都发生在上电的瞬间。二、正弦波逆变采用的是脉宽调制技术，为了保证不发生抢通，用数字电路互锁，其可靠性由单片机性能决定，在单片机发生死机（复位不成功）时抢通可能发生。三、推动级发生故障时立刻烧毁场管。

发明内容

有鉴于此，本实用新型的目的是提供一种场效应管逆变推挽电路，解决了逆变烧毁大功率场效应管的问题，从根本上提高了逆变器的可靠性。

本实用新型的场效应管逆变推挽电路，其特征在于：包括变压器、第一电阻、第二电阻、电容、第一晶体管、第二晶体管以及与所述变压器初级第一输入端连接的第一后级场效应管和第二输入端连接的第二后级场效应管；所述变压器的次级第一绕组的第一端与第一电阻的第一端、第一晶体管的基极连接；所述变压器的次级第一绕组的第二端与第二电阻的第一端和第二晶体管的基极连接；所述变压器的次级第二绕组的第一端与所述电容的第一端和第一晶体管的集电极连接；所述变压器的次级第二绕组的第二端与所述电容的第二端和第二晶体管的集电极连接；所述第一晶体管和第二晶体管的发射极接地；所述变压器的次级第二绕组的中心抽头、第一电阻的第二端、第二电阻的第二端与工作电源连接。

本实用新型移植了晶体管的推动变压器，推动变压器的初级输出端不会同时出现高电平，因此和初级输出端相连的大功率场效应管不会同时导通，从根本上的解决了场效应管的抢通问题，电路结构简单，具有较好的实用价值。

附图说明

图1是本实用新型实施例的电路连接示意图。

具体实施方式

下面结合附图及实施例对本实用新型做进一步说明。

如图1所示，本实用新型提供一种场效应管逆变推挽电路，其特征在于：包括变压器T1、第一电阻R1、第二电阻R2、电容C1、第一晶体管Q1、第二晶体管Q2以及与所述变压器T1初级第一输入端连接的第一后级场效应管Q3和第二输入端连接的第二后级场效应管Q4；所述变压器的次级第一绕组L2的第一端与第一电阻R1的第一端、第一晶体管Q1的基极连接；所述变压器的次级第一绕组的第二端与第二电阻R2的第一端和第二晶体管Q2的基极连接；所述变压器T1的次级第二绕组的第一端与所述电容C1的第一端和第一晶体管Q1的集电极连接；所述变压器的次级第二绕组的第二端与所述电容C1的第二端和第二晶体管Q2的集电极连接；所述第一晶体管Q1和第二晶体管Q2的发射极接地；所述变压器的次级第二绕组L1的中心抽头、第一电阻R1的第二端、第二电阻R2的第二端与工作电源V连接。

为了让一般技术人员更好的理解本实用新型，下面我们结合附图对本实用新型的工作原理做简单的介绍，请继续参照图1，电路接通后R1、R2为Q1和Q2提供对称偏置，Q1、Q2总有一个导通能力强，通过L2形成正反馈，建立振荡。推挽信号从L3的AB两个绕组输出，推动后级场效应管。改变电源电压和改变L1AB绕组的电感量或C1可以改变振荡频率。R1、R2也能微调振荡频率。此外，电路中的过压过流保护和传统电路相同。这里就不再介绍。