[实用新型]单芯片三轴AMR传感器有效
| 申请号： | 201120115995.8 | 申请日： | 2011-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN202149936U | 公开（公告）日： | 2012-02-22 |
| 发明（设计）人： | 蔡永耀;卞锺元;赵阳;蒋乐跃 | 申请（专利权）人： | 美新半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09 |
| 代理公司： | 无锡互维知识产权代理有限公司 32236 | 代理人： | 王爱伟 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 芯片 amr 传感器 | ||
【权利要求书】：
1.一种单芯片三轴AMR传感器，其特征在于：其包括有基板、设置在基板上的第一水平向传感器、第二水平向传感器、第三水平向传感器以及设置在所述第三水平向传感器上的通量集中器，其中通量集中器和第三水平向传感器配合实现Z轴传感器的功能。
2.如权利要求1所述的单芯片三轴AMR传感器，其特征在于：所述第一水平向传感器为X轴传感器，所述第二水平向传感器为Y轴传感器。
3.如权利要求1所述的单芯片三轴AMR传感器，其特征在于：所述第一、第二和第三水平向传感器和通量集中器之间设置有绝缘层。
4.如权利要求1所述的单芯片三轴AMR传感器，其特征在于：所述通量集中器是一种软磁材料条。
5.如权利要求1所述的单芯片三轴AMR传感器，其特征在于：所述第三水平向传感器包括两组传感器，即第一传感器组和第二传感器组，所述第一传感器组包括第一AMR磁阻条和与第一AMR磁阻条成夹角的若干条第一电流偏置导体条，所述第二传感器组包括第二AMR磁阻条和与第二AMR磁阻条成夹角的若干条第二电流偏置导体条。
6.如权利要求1所述的单芯片三轴AMR传感器，其特征在于：所述第一、第二或第三水平向传感器分别包括至少两组传感器。
7.如权利要求6所述的单芯片三轴AMR传感器，其特征在于：所述至少两组传感器具有相同的结构。
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