[实用新型]一种太阳能控制器的太阳能电池防反接保护电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及太阳能充电控制器技术，特别是涉及一种太阳能控制器的太阳能电池防反接保护电路。

背景技术

太阳能控制器用于太阳能电池向蓄电池充电过程的全程控制，发挥着非常重要的作用。现有技术中的太阳能控制器，通常在充电主回路中，设有控制正向充电的开关管和防止夜间蓄电池反向放电倒流的二极管或开关管。如果采用二极管来防止夜间蓄电池反向放电，由于二极管正向导通压降较大，当充电电流较大时，二极管发热严重，降低了太阳能控制器的效率。当太阳能控制器的功率较大时，可以采用开关管来防止夜间蓄电池反向放电，利用开关管自身寄生的体二极管来防止蓄电池反向放电，开关管自身寄生的体二极管具有前向压降低、可通过大电流的特性，这样可以大大降低太阳能控制器的功率损失。

当采用MOSFET开关管来防止夜间蓄电池反向放电倒流时，太阳能控制器必须要有防止太阳能电池反接保护功能，否则将造成严重的后果。若太阳能电池反接，则加在防倒流MOSFET开关管两端的电压U为太阳能电池两端的电压与蓄电池的电压之和，比太阳能电池没有反接时的MOSFET开关管两端的电压大很多，当U大于MOSFET开关管所能承受的最大电压时，MOSFET开关管就会被击穿。为了防止被击穿，就需要采用耐压值较大的MOSFET开关管，但MOSFET开关管能承受的最大电压Uds值越大，则通态电阻Ron就越大，其导通功率损耗Pmos=Id²Ron就越大，发热就越严重，为了降低温升就需要配备较大的散热装置，这样不但降低了太阳能的利用效率，而且还使得整机体积较大。

针对上述问题提供一种太阳能控制器的太阳能电池防反接保护电路以解决现有技术不足甚为必要。

发明内容

本实用新型的目的在于避免现有技术的不足之处而提供一种太阳能控制器的太阳能电池防反接保护电路,该电路能够防止由于太阳能电池防反接而造成防倒流开关管VT2高压击穿情况的发生。

本实用新型的目的通过以下技术措施实现。

一种太阳能控制器的太阳能电池防反接保护电路，包括充电回路设置的充电控制开关管VT1和防倒流开关管VT2，太阳能电池的输入端设置有与太阳能电池并联连接的开关管VT3，所述开关管VT3设置有电阻R1；

所述开关管VT3为MOSFET管或者IGBT管；

所述MOSFET管的漏极与所述太阳能电池的正极端PV+连接，所述MOSFET管的源极与所述太阳能电池的负极输入端PV-连接，所述MOSFET管的栅极通过电阻R1和所述MOSFET管的源极连接；

所述IGBT管的集电极与所述太阳能电池的正极端PV+连接，所述IGBT管的发射极与所述太阳能电池的负极输入端PV-连接，所述IGBT管的栅极通过电阻R1和所述IGBT管的发射极连接。

优选的，太阳能电池的输入端设有多个开关管VT3分别与所述太阳能电池并联连接。

另一优选的，所述太阳能电池的输入端并联多组开关管组，每组开关管组由多个开关管VT3串联构成。

本实用新型的一种太阳能控制器的太阳能电池防反接保护电路，包括充电回路设置的充电控制开关管VT1和防倒流开关管VT2，太阳能电池的输入端设置有与太阳能电池并联连接的开关管VT3，所述开关管VT3设置有电阻R1；所述开关管VT3为MOSFET管或者IGBT管；所述MOSFET管的漏极与所述太阳能电池的正极端PV+连接，所述MOSFET管的源极与所述太阳能电池的负极输入端PV-连接，所述MOSFET管的栅极通过电阻R1和所述MOSFET管的源极连接；所述IGBT管的集电极与所述太阳能电池的正极端PV+连接，所述IGBT管的发射极与所述太阳能电池的负极输入端PV-连接，所述IGBT管的栅极通过电阻R1和所述IGBT管的发射极连接。本实用新型的一种太阳能控制器的太阳能电池防反接保护电路有效地保证了在发生太阳能电池反接的情况下，防止了由于蓄电池正向电压和太阳能电池正向电压叠加形成的高压对防倒流开关管VT2的高压击穿情况的发生，有效地保护了防倒流开关管VT2的正常工作。

采用上述技术方案， 由于和太阳能电池并联的开关管VT3的保护作用，串联在充电主回路中的防倒流MOSFET开关管VT2只需要采用耐压值较小的MOSFET开关管就可以满足要求，耐压值较小的MOSFET开关管的通态电阻Ron也越小，这样就降低了充电回路的功率损耗，提高了太阳能的利用效率，降低了系统发热，从而进一步降低了整机的体积。

附图说明

利用附图对本实用新型作进一步的说明，但附图中的内容不构成对本实用新型的任何限制。