[实用新型]多晶硅片水膜保护扩散面刻蚀装置

权利要求书

1.一种多晶硅片水膜保护扩散面刻蚀装置，包括去离子水储存箱、喷洒水膜装置，其特征是，在去离子水储存箱内设有低液位感应器和高液位感应器，低液位感应器、高液位感应器连有PLC控制器，PLC控制器与进水管的气动阀、排水管的气动阀相连。

2.根据权利要求1所述的多晶硅片水膜保护扩散面刻蚀装置，其特征是，所述的喷洒水膜装置包括喷水管，喷水管上设有5～10个喷水道，每个喷水道喷口设置一个硅片感应器，硅片感应器通过PLC控制器连接喷水阀。

3.根据权利要求1所述的多晶硅片水膜保护扩散面刻蚀装置，其特征是，所述的去离子水储存箱分成5～10个相同的储水区，每个储水区对应着一个喷水道供应喷水。

4.根据权利要求2或3所述的多晶硅片水膜保护扩散面刻蚀装置，其特征是，所述的喷水道的喷口设有5～8个出水孔。