[实用新型]发光键盘无效

专利信息
申请号: 201120113602.X 申请日: 2011-04-15
公开(公告)号: CN201966109U 公开(公告)日: 2011-09-07
发明(设计)人: 司梅芳;刘宝善;郝庆隆 申请(专利权)人: 北京创杰亦源技术发展有限公司
主分类号: H01H13/83 分类号: H01H13/83
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 黄灿;刘伟
地址: 100176 北京市经济技术*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 发光 键盘
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及一种键盘,尤其涉及一种发光键盘。

背景技术

由于计算机广泛地应用于各种信息场合,如信息交通、商业往来、客户联络、文书处理、计算机绘图及各种不同的工作上,因此计算机对于日常生活也就显得特别重要。

在计算机设备中最为重要及贴身的输入设备则莫过于键盘,对其结构、功能外形等做了越来越多的改进,用以满足消费者日益提高的消费品味,发光键盘就是在这样的趋势下产生的,其在光线不足的情况下仍可正常使用。

例如采用LED的发光键盘,包括:键盘部和背光装置,键盘部具有一地板,以及可相对于地板做上下运动的方式而设置于地板上的至少一个按键,而背光装置设置在键盘部的下方。由此背光装置可以从键盘部下方提供键盘部光源。

但,这种结构的发光键盘制造工艺复杂,且成本较贵。

实用新型内容

为了解决上述问题,本实用新型的目的是提供一种发光键盘,该发光键盘的结构简单,制造工艺简单且成本较低。

为了达到上述目的,本实用新型提供一种发光键盘,包括:

一壳体1,包括多个开口部12;

多个键帽2,所述多个键帽2分别容置于所述多个开口部12;

一发光层3,覆盖在所述壳体1的表面上;

一用于承载所述键帽2的基板4,所述键帽2及所述基板4间形成一活动空间,所述键帽2相对所述基板4产生一上下位移行程。

优选的,所述键帽2的端面上开设有字符凹槽。

优选的,所述字符凹槽的横截面为各种字母或数字的形状。

优选的,所述发光层3的材料为长余辉发光材料。

由上述技术方案可知,本实用新型具有如下有益效果:通过在壳体的表面上覆盖发光层,使得在光线不足的情况也可以发光,键盘仍然可以使用,整个键盘结构简单,制造工艺简单且成本较低。

附图说明

图1为本实用新型的实施例中发光键盘的结构示意图。

具体实施方式

为了使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚明白,下面结合实施例和附图,对本实用新型实施例做进一步详细地说明。在此,本实用新型的示意性实施例及说明用于解释本实用新型,但并不作为对本实用新型的限定。

参见图1,为本实用新型的实施例中发光键盘的结构示意图,由图中可知,该发光键盘包括:

一壳体1,包括多个开口部12;

多个键帽2,所述多个键帽2分别容置于所述多个开口部12;

一发光层3,覆盖在所述壳体1的表面上;

一用于承载所述键帽2的基板4,所述键帽2及所述基板4间形成一活动空间,所述键帽2相对所述基板4产生一上下位移行程。

在本实施例中,为了保证键盘随时都能够发出光线,发光层3可采用长余辉发光材料,例如可以采用人工合成的长余辉高亮度发光材料制成,该长余辉高亮度发光材料以含硼的碱土金属铝酸盐为基质,一种以上的RE元素为激活剂,其化学分子式为:MOn[(Al1-aBa)2-b/3O3-b(OH)b]:cRE,其中:

M表示选自镁、钙、锶或钡中的至少一种碱土金属;

RE表示选自镧,铈,镨,钕,钷,钐,铕,钆,铽,镝,钬,铒,铥,镱,镥中的至少一种稀土元素;

n小于等于10,大于等于0.5;

a小于等于0.5,大于等于0.0001;

b小于等于2,大于等于0.0001;

c小于等于0.6,大于等于0.0001;

以上化学分子式表示的烧成体的晶体结构中的氧原子至少部分被OH置换,它是通过用一种或一种以上的原料溶液进行湿法研磨,使原料中的各成分研磨至粒径为50~10000纳米来制备。

而上述的人工合成的长余辉高亮度发光材料可以通过如下方法来制备:

首先,按配比称取原料,并将其研磨至粒径为50~10000纳米;

其次,将研磨后的原料置入坩埚,并将该坩埚放入压力电炉中,在还原气氛下,在600~1200摄氏度温度下煅烧2~5小时;

再次,将烧成体从电炉中取出冷却到室温;

最后,将冷却后的烧成体研磨成粉料。

按上述方法制备的长余辉发光材料的起始辉度为7400cd每平方米,可视余辉时间在80小时以上。

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