[实用新型]大功率光耦合隔离驱动模块有效
申请号: | 201120109578.2 | 申请日: | 2011-04-14 |
公开(公告)号: | CN202008998U | 公开(公告)日: | 2011-10-12 |
发明(设计)人: | 王立伟;巫江岭;张元元;杜秀杰 | 申请(专利权)人: | 锦州辽晶电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L25/16 | 分类号: | H01L25/16;H01L23/31 |
代理公司: | 锦州辽西专利事务所 21225 | 代理人: | 李辉 |
地址: | 121000 *** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 大功率 耦合 隔离 驱动 模块 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种半导体混合集成电路,尤其涉及一种大功率光耦合隔离驱动模块。
背景技术
目前,大部分功率光耦合驱动电路是通过多个电子元器件构成的控制电路和功率器件两部分实现电路的大功率驱动功能。由多个半导体元器件组合使用来实现电路功能,虽然可以实现大功率驱动应用,但是占用空间大,重量重,组装繁琐,可靠性差。尤其是在空间要求小,重量要求轻,可靠性要求高的条件下,用多个元器件实现大功率驱动电路具有一定困难。
发明内容
本实用新型要解决的技术问题是提供一种结构紧凑,占用空间小,既能实现大功率光耦合隔离驱动功能,又可保证具有高度可靠性的大功率光耦合隔离驱动模块。
本实用新型涉及的大功率光耦合隔离驱动模块,包括管壳,构成控制电路的集成运算放大器芯片、光耦器件和电阻,功率器件芯片,其特殊之处是:所述的管壳为密封结构且管壳的长度为20~25mm、宽度为18-20mm,在管壳底座上焊接有金属化陶瓷基板和厚膜基板,在金属化陶瓷基板上焊接有钼片,所述的电阻为厚膜电阻且设在在厚膜基板上,所述的集成运算放大器芯片和光耦器件采用导电胶粘接在厚膜基板上,所述的功率器件芯片通过共晶焊接在钼片上,所述的集成运算放大器芯片、厚薄电阻、光耦器件和功率器件芯片之间采用硅铝丝互联。
本实用新型的优点是:将多个电子元器件集成在一起,进行模块化封装,结构紧凑,占用空间小;将功率器件芯片通过共晶焊接在钼片上,大大降低了芯片烧结中的空洞率,降低了芯片到管壳的热阻;功率器件芯片与构成控制电路的集成运算放大器芯片和光耦器件分布在两块基板上,稳定性好;管壳采用密封结构,大大提高了大功率光耦合隔离驱动模块的可靠性,可适用于-55~100℃的工作环境。采用光耦合器实现电隔离,抗干扰能力强。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图;
图2是本实用新型的内部结构图;
图3是本实用新型的电路结构图;
图中:管壳1、厚膜基板2、集成运算放大器芯片3、金属化陶瓷基板4、硅铝丝5、厚膜电阻6、光耦器件7、功率器件芯片8、钼片9。
具体实施方式
如图所示,本实用新型包括由底座和盖板构成的管壳1、厚膜基板2、集成运算放大器芯片3、金属化陶瓷基板4、硅铝丝5、厚膜电阻6、光耦器件7、功率器件芯片8、钼片9;所述的管壳为密封结构且管壳的长度为20~25mm、宽度为18-20mm。厚膜基板2、金属化陶瓷基板4分别通过高温合金焊料焊接在管壳1上,钼片9通过高温合金焊料焊接在金属化陶瓷基板4上,厚膜电阻6采用丝网印刷直接印制在厚膜基板2上,功率器件芯片8通过软焊真空烧结、共晶焊接在钼片9上,集成运算放大器芯片3和光耦器件7采用导电胶粘接在厚膜基板2上,所述的集成运算放大器芯片3、厚薄电阻6、光耦器件7和功率器件芯片8之间采用硅铝丝5互联。
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