[实用新型]一种多波长激光滤波器有效
申请号: | 201120109483.0 | 申请日: | 2011-04-14 |
公开(公告)号: | CN202004313U | 公开(公告)日: | 2011-10-05 |
发明(设计)人: | 吴砺;杨建阳;赵振宇;陈卫民 | 申请(专利权)人: | 福州高意通讯有限公司 |
主分类号: | H01S3/136 | 分类号: | H01S3/136;H01S3/00 |
代理公司: | 福建炼海律师事务所 35215 | 代理人: | 许育辉 |
地址: | 350001 福*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 波长 激光 滤波器 | ||
技术领域
本实用新型涉及激光领域,尤其涉及一种多波长激光滤波器。
背景技术
采用LD泵浦Nd:YAG晶体,经过非线性晶体腔内倍频的全固态红、绿、蓝三色激光器,近年来得到了较大的发展,而黄光激光器却研究较少。对波长范围从550nm到650nm的橙黄色激光器,在分子生物学、化学分析、激光医疗、激光彩色显示方面有着广泛的应用前景,近年来逐渐成为研究的热点。Nd:YAG晶体的荧光谱线如图1所示,以556nm倍频光为例,其对应的基频光1112nm附近,从1111nm到1123nm有多个荧光谱线,这些相近的荧光谱线由于距离太近,且增益相近,该处激光腔通过腔镜镀膜无法区分出各荧光谱线的反射率差,便无法抑制其它纵模的起振,其结果造成多个波段纵模竞争严重,出射光的波长、功率均不稳定。
发明内容
针对上述问题,本实用新型的目的在于,设计一种多波长激光滤波器,通过设计特定长度的双折射晶体与起偏器构成双折射滤波器,增加相近纵模的损耗,抑制相近纵模的起振、竞争,从而实现激光波长、功率稳定输出。
为达到上述目的,本实用所提出的技术方案为:一种多波长激光滤波器,包括激光谐振腔前后腔镜101、102,激光增益介质103,其特征在于:所述的激光增益介质103和后腔镜102间还安装有一p光全透、s光部分反射的起偏器104和一双折射晶体105,所述的双折射晶体105光轴方向与起偏器104的p光方向成一夹角。
进一步,作为本实用新型的优选方式,所述的起偏器104可以为布儒斯特片,也可以为偏振膜片。
进一步,作为本实用新型的优选方式,所述的夹角为45°。
进一步,所述的双折射晶体105的长度为所要起振波长的全波片或半波片,为所要抑制波长的非全波片和非半波片;双折射晶体105为Ⅱ类相位匹配倍频晶体或普通双折射晶体。
本实用新型通过设计特定长度的双折射晶体与起偏器构成双折射滤波器,增加相近纵模的损耗,抑制相近纵模的起振、竞争,从而实现激光波长、功率稳定输出。
附图说明
图1为Nd:YAG晶体的荧光谱线;
图2为本实用新型所述的多波长激光滤波器基本结构图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施方式,对本实用新型做进一步说明。
如图2多波长激光滤波器基本结构图所所示,一种多波长激光滤波器,包括激光谐振腔前后腔镜101、102,激光增益介质103,激光增益介质103和后腔镜102间还安装有一p光全透、s光部分反射的起偏器104和一双折射晶体105,起偏器104可以为布儒斯特片,也可以为偏振膜片。双折射晶体105光轴方向与起偏器104的p光方向成一夹角,该夹角优选45°,双折射晶体105的长度为所要起振波长的全波片或半波片,为所要抑制波长的非全波片和非半波片;双折射晶体105可以为倍频晶体或普通双折射晶体。
通过上述方案,由于腔内起偏器104的存在,s光方向损耗大于p光方向,可使腔内基频光仅在p光方向偏振起振。腔内偏振起振基频光从起偏器104经过双折射晶体105再次返回到起偏器104时,基频光存在一位相差,式中为双折射晶体105的o光、e光的折射率差;为双折射晶体105的长度;为波长。当双折射晶体105长度对某一起振波长为全波片或半波片时,其位相差为2π的整数倍,即回到起偏器104的基频光偏振保持不变;而如果双折射晶体105长度对起振波长不是全波片或半波片时,其位相差不是2π的整数倍,即回到起偏器104的基频光偏振与p光形成一夹角,在s光方向上有分量,会带来损耗,从而抑制其起振。
以1110nm到1300nm波段为例,Nd:YAG在此波段荧光谱线有1112nm、1115nm和1122nm。当设计双折射晶体105的长度L1满足对1112nm为全波片或半波片、而对1115nm和1122nm均非全波片和半波片时,可抑制1115nm和1122nm基频光的起振,而仅有1112nm基频光起振。
双折射晶体105为Ⅱ类相位匹配倍频晶体时,可输出稳定的倍频光;当双折射晶体105为普通双折射晶体时,可输出稳定的基频光。
尽管结合优选实施方案具体展示和介绍了本实用新型,但所属领域的技术人员应该明白,在不脱离所附权利要求书所限定的本实用新型的精神和范围内,在形式上和细节上对本实用新型做出各种变化,均为本实用新型的保护范围。
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