[实用新型]一种软烘装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及光刻设备领域，且特别涉及一种软烘装置。

背景技术

在半导体制造中，光刻工艺一般要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等工序。其中软烘步骤可以除去光刻胶中的大部分有机溶剂成分，增强黏附性，释放光刻胶膜内的应力，提高光刻胶均匀性。

图1所示为现有技术的软烘装置结构示意图，带有晶片进出口的处理室100内安置有一加热盘101，涂有光刻胶(PR)或底部抗反射层(BARC)或其它含有有机溶剂的旋涂材料的晶片102放置在加热盘101进行软烘焙，光刻胶(PR)或底部抗反射层(BARC)或其它含有有机溶剂的旋涂材料在加热烘烤后会产生挥发物成分105。现有技术下，通常会向处理室100中通入一定流速的干燥的室温(约为22℃)气体103，如N₂或干燥空气，来将挥发物成分105通过排气口104排走，干燥的室温(约为22℃)气体103的温度遥远低于挥发物成分105的温度，容易造成挥发物成分105易凝结固着在处理室100顶部内表面或者排气口104而污染设备，并且凝结固着的有机溶剂可能会滴落到晶片102上，造成晶片102的光刻胶出现球形缺陷，影响半导体器件制程良率，而通过增大设备维护频率来改善这种现象，会延长工艺时间，降低设备使用寿命，增加制造成本。

实用新型内容

本实用新型提出一种软烘装置，以降低光刻胶有机溶剂固着，改善光刻胶出现球形缺陷现象，降低设备污染，提高光刻胶均匀性。

为了达到上述目的，本实用新型提出一种软烘装置，包括：

处理室，设有入气口；

软烘气体加热器，位于所述处理室外部，并设有出气口，所述出气口连接所述处理室的入气口，输出高于常温的干燥气体。

进一步的，所述处理室的顶部为盖体，所述盖体中央设有一个或多个排气口。

进一步的，所述盖体为上窄下宽的结构。

进一步的，所述处理室具有多个所述入气口，设于盖体中央排气口的周围。

进一步的，所述软烘气体加热器的出气口连接所述处理室的每个所述入气口。

进一步的，所述处理室的侧壁设有晶片进出口。

进一步的，所述软烘气体加热器包含、辐射加热器、燃料加热器，水加热器或半导体加热模块一种或多种。

进一步的，所述软烘气体加热器还包括进气口。

进一步的，所述软烘装置还包括加热盘，所述加热盘安装在所述处理室内。

进一步的，所述加热盘配有加热器。

与现有技术相比，本实用新型提出的软烘装置，增加一个软烘气体加热器，为在处理室进行软烘的晶片，提供了高于常温的排气环境，使得光刻胶(PR)或底部抗反射层(BARC)或其它含有有机溶剂的旋涂材料在晶片软烘时产生的挥发物成分易于排出，不容易固着凝结在处理室顶部内表面或其排气口处，改善了球形缺陷，提高了光刻胶的性能，减少了软烘装置的维护频率，提高了工艺效率。

附图说明

图1所示为现有技术的软烘装置结构示意图；

图2所示为本实用新型具体实施例软烘装置结构示意图。

具体实施方式

为了更了解本实用新型的技术内容，特举具体实施例并配合所附图示说明如下。

请参考图2，图2所示为本实用新型具体实施例软烘装置结构示意图。本实用新型提出一种软烘装置，包括：处理室200，加热盘201以及软烘气体加热器206。

本实施例中，处理室200顶部为盖体200a，侧壁设有晶片进出口207a、207b，盖体200a为上窄下宽的倒漏斗状结构，盖体200a中央设有排气口204，周围设有多个入气口203a、203b；加热盘201，安装在所述处理室200内，并配有加热器(未图示)；软烘气体加热器206，位于处理室200外部，并设有进气口206a和出气口206b，出气口206b连接所述处理室200的每个入气口203a、203b，软烘气体加热器206包含电加热器或半导体加热模块，用以实现输入气体的加热。