[实用新型]一种半透半反式的像素结构及半透半反式液晶显示器有效

专利信息
申请号: 201120102254.6 申请日: 2011-04-08
公开(公告)号: CN202033561U 公开(公告)日: 2011-11-09
发明(设计)人: 孙阳;彭宽军;张玉婷 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343;H01L29/786;H01L27/02
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 黄灿;姜精斌
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 半透半 反式 像素 结构 液晶显示器
【权利要求书】:

1.一种半透半反式的像素结构,其特征在于,包括:

设置在基板上的反射电极和透射电极;

设置在所述基板上,用于遮挡光线从所述基板透射至所述反射电极和透射电极之间的不透明的栅线,所述栅线位于所述反射电极和所述透射电极之间,且处于所述反射电极和透射电极的下方;以及,

设置在所述栅线上的薄膜晶体管,所述薄膜晶体管的栅极与所述栅线电性连接。

2.如权利要求1所述的半透半反式的像素结构,其特征在于,所述栅线为不透明金属栅线。

3.如权利要求1所述的半透半反式的像素结构,其特征在于,所述薄膜晶体管的源极与设置在所述基板上的数据线电性连接,漏极分别与所述透射电极和反射电极电性连接。

4.如权利要求1所述的半透半反式的像素结构,其特征在于,

所述薄膜晶体管有两个;其中一个薄膜晶体管的漏极与所述反射电极电性连接,源极与设置在所述基板上的数据线电性连接;另一个薄膜晶体管的漏极与所述透射电极电性连接,源极与所述数据线电性连接。

5.一种半透半反式液晶显示器,其特征在于,包括:

彩膜基板;

接合于所述彩膜基板的薄膜晶体管阵列基板;

夹设于所述彩膜基板和所述薄膜晶体管阵列基板之间的液晶层;

所述薄膜晶体管阵列基板上形成有多个像素结构,每个像素结构分别对应于一透射区和一反射区,所述透射区和所述反射区的液晶层厚度不同;

每个所述像素结构包括:

设置在所述薄膜晶体管阵列基板上的反射电极和透射电极;

设置在所述薄膜晶体管阵列基板上,用于遮挡光线从所述薄膜晶体管阵列基板透射至所述反射区与所述透射区的交界处的不透明的栅线,所述栅线位于所述反射电极和所述透射电极之间,且处于所述反射电极和透射电极的下方;

以及,设置在所述栅线上的薄膜晶体管,所述薄膜晶体管的栅极与所述栅线电性连接。

6.如权利要求5所述的半透半反式液晶显示器,其特征在于,所述栅线为不透明金属栅线。

7.如权利要求5所述的半透半反式液晶显示器,其特征在于,

每个所述像素结构包括有两个所述薄膜晶体管,其中一个薄膜晶体管的漏极与所述反射电极电性连接,源极与设置在所述薄膜晶体管阵列基板上的数据线电性连接;另一个薄膜晶体管的漏极与所述透射电极电性连接,源极与所述数据线电性连接。

8.如权利要求5所述的半透半反式液晶显示器,其特征在于,

所述薄膜晶体管的源极与设置在所述薄膜晶体管阵列基板上的数据线电性连接,漏极分别与所述透射电极电性和所述反射电极电性连接。

9.如权利要求5所述的半透半反式液晶显示器,其特征在于,所述透射区的液晶层厚度为所述反射区的液晶层厚度的两倍。

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