[实用新型]陶瓷基片

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种陶瓷基片，特别涉及一种用于对光电子器件进行封装的陶瓷基片。 

背景技术

现代微电子技术发展异常迅猛，特别是各种光电子器件逐渐在向微型化、大规模集成化、高效率、高可靠性等方向发展。但随着电子系统集成度的提高，其功率密度随之增加，电子元件及系统整体工作产生热量上升、系统工作温度升高会引起半导体器件性能恶化、器件破坏、分层等，甚至会使封装的芯片烧毁，因此有效的电子封装必须解决电子系统的散热问题。 

电子封装所用的基片是一种底座电子元件，主要为电子元器件及其相互联线提供机械承载支撑、气密性保护并可作为热沉过渡片给芯片散热。陶瓷基片具有耐高温、电绝缘性能高、介电常数和介质损耗低、热导率大、化学稳定性好、与元件的热膨胀系数相近等优点，并可对光电子器件起到较强的保护作用，因而在航空、航天和军事工程等领域都得到了非常广泛的应用。 

目前的陶瓷基片基本都是方形的，这种陶瓷基片用在光电子器件中时，陶瓷基片会将光电子器件发出的光沿原路反射回去，这样就会影响到光电子器件的使用。目前为了避免这种情况出现，通常会在陶瓷基片的下方安装一个倾斜的基座使陶瓷基片倾斜，这样就可避免光电子器件发出的光沿原路反射回去，从而保证光电子器件可以正常工作。但采用这种封装方式，每次都需要加装倾斜的基座，使得封装工艺变得复杂，而且加装基座后对芯片散热也会造成一定的影响，进而有可能会影响到芯片的质量。 

实用新型内容

针对上述现有技术的不足，本实用新型要解决的技术问题是提供一种可避免将光电子器件发出的光沿原路反射回去的陶瓷基片。 

为解决上述技术问题，本实用新型采用如下技术方案： 

一种陶瓷基片，所述陶瓷基片上具有至少一个斜面。 

优选的，所述陶瓷基片的横截面为梯形。 

优选的，所述陶瓷基片的一个斜面上镀有可形成导电电路的金属层。 

优选的，所述金属层由内向外依次包括钛钨合金层和黄金层。 

优选的，所述金属层由内向外依次包括钛金属层、铂金层和黄金层。 

优选的，所述斜面倾斜的角度为30°至60°。 

优选的，所述斜面倾斜的角度为45°至55°。 

优选的，所述陶瓷基片为Al₂O₃陶瓷基片或AlN陶瓷基片。 

优选的，所述Al₂O₃陶瓷基片中Al₂O₃含量为85％-99.5％。 

优选的，所述Al₂O₃陶瓷基片中Al₂O₃含量为99％。 

上述技术方案具有如下有益效果：该陶瓷基片在使用时，使陶瓷基片的一个斜面与光电器件相对，这样光电器件发出的光经过陶瓷基片反射后不会被从原路返回，从而可保证光电器件的正常工作。采用这种陶瓷基片进行芯片封装时无需再设置倾斜的基座，简化了芯片封装的步骤，而且采用这种陶瓷基片封装芯片更有利于芯片的散热，保证芯片持续正常的工作。 

上述说明仅是本实用新型技术方案的概述，为了能够更清楚了解本实用 新型的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本实用新型的较佳实施例并配合附图详细说明如后。本实用新型的具体实施方式由以下实施例及其附图详细给出。 

附图说明

图1为本实用新型实施例的结构示意图。 

图2为本实用新型实施例金属层的一种结构示意图。 

图3为本实用新型实施例金属层的另一种结构示意图。 

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型的优选实施例进行详细介绍。