[实用新型]新型正弦波逆变器无效
| 申请号: | 201120080843.9 | 申请日: | 2011-03-24 |
| 公开(公告)号: | CN201956924U | 公开(公告)日: | 2011-08-31 |
| 发明(设计)人: | 胡裕凯 | 申请(专利权)人: | 成都英格瑞德电气有限公司 |
| 主分类号: | H02M7/48 | 分类号: | H02M7/48;H02M3/28 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 610000 四川省*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 新型 正弦波 逆变器 | ||
技术领域
本实用新型涉及电源逆变器,具体为一种新型正弦波逆变器。
背景技术
现在的逆变器一般是通过两级变换,首先将电池输入的电压进行隔离升压,稳定在一个固定的值,然后通过一个逆变桥进行逆变,输出SPWM波,然后通过滤波,得到一个正弦波的交流输出。此电路成熟,已经广为使用。电池的输入电压通过开关1—开关4,变压器,谐振电感和谐振电容,然后通过二极管,得到一个直流稳定电压,其中电解电容作为中间的储能环节,通过场效应管构成的桥式变换电路,将稳定的直流电压,逆变成SPWM波,然后通过滤波器进行滤波,再通过继电器,保险后,得到一个正弦波的交流输出。该电路由于中间电压要求稳定,需要滤波的电解电容,输出一定需要滤波环节,所以体积较大,成本较高。另DC/DC和逆变桥级均需要高频工作,损耗较大,效率较低。
发明内容
本实用新型针对以上技术问题,提供一种体积小、成本低、损耗小,效率高。
本实用新型的具体技术方案如下:
新型正弦波逆变器,由场效应管、滤波线圈、变压器、电容组成,其特征在于:两只场效应管各分别连接电源正负极后共同通过滤波线圈连接变压器一端输入极,另两只场效应管各分别连接电源正负极后共同通过电容连接变压器另一端输入极,变压器输出端正极分别连接两只场效应管,变压器输出端负极分别连接两只场效应管,变压器输出端正极、负极连接的四只场效应管交叉并联后分别并联电容、另四只场效应管,另四只场效应管分两组并联输交流电源的两极。
由场效应管构成双向变换器,将直流输入变成母线间的单边正弦波形,再由场效应管形成的逆变桥,将单边的正弦波变成正负两边的正弦波。经继电器和保险输出正弦交流。本实用新型由两级构成,前级是双向变换,在母线上形成单边的正弦波,再由后级进行极性倒换,形成正负双边的正弦波。该电路只有前级的高频隔离变换,后级只进行简单的极性倒换,后级的开关损耗小,并省掉了输出的滤波环节。
控制上可以通过控制隔离变压器的原副边逆变桥的组合控制,实现升降压变换,可以优化变比。如从直流侧往交流侧传递能量,可以通过控制原边场效应管导通,同时副边桥场效应管导通,让能量先储存于电感中,然后副边桥场效应管断开,能量传递到副边,实现了升压传递,不再受限于变比的范围。
本实用新型可以构成储能系统,交流侧接市电,直流接储能的电池,夜晚将交流能量通过变换后给直流电池充电,白天可以让直流能量通过本实用新型逆变出交流输出,释放出能量,进行削峰填谷调节。
附图说明
附图1为本实用新型结构示意图。
其中,1——场效应管、2——滤波线圈、3——变压器、4——电容。
具体实施方式
下面结合具体实施方式对本实用新型作进一步说明。
新型正弦波逆变器,由场效应管、滤波线圈、变压器、电容组成,其特征在于:两只场效应管各分别连接电源正负极后共同通过滤波线圈连接变压器一端输入极,另两只场效应管各分别连接电源正负极后共同通过电容连接变压器另一端输入极,变压器输出端正极分别连接两只场效应管,变压器输出端负极分别连接两只场效应管,变压器输出端正极、负极连接的四只场效应管交叉并联后分别并联电容、另四只场效应管,另四只场效应管分两组并联输交流电源的两极。
由场效应管构成双向变换器,将直流输入变成母线间的单边正弦波形,再由场效应管形成的逆变桥,将单边的正弦波变成正负两边的正弦波。经继电器和保险输出正弦交流。本实用新型由两级构成,前级是双向变换,在母线上形成单边的正弦波,再由后级进行极性倒换,形成正负双边的正弦波。该电路只有前级的高频隔离变换,后级只进行简单的极性倒换,后级的开关损耗小,并省掉了输出的滤波环节。
控制上可以通过控制隔离变压器的原副边逆变桥的组合控制,实现升降压变换,可以优化变比。如从直流侧往交流侧传递能量,可以通过控制原边场效应管导通,同时副边桥场效应管导通,让能量先储存于电感中,然后副边桥场效应管断开,能量传递到副边,实现了升压传递,不再受限于变比的范围。
本实用新型可以构成储能系统,交流侧接市电,直流接储能的电池,夜晚将交流能量通过变换后给直流电池充电,白天可以让直流能量通过本实用新型逆变出交流输出,释放出能量,进行削峰填谷调节。
场效应管是Mosfet 或IGBT 以及其他的全控器件。
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