[实用新型]一种适用于多晶硅生产的HCl吸收塔有效

专利信息
申请号: 201120077129.4 申请日: 2011-03-23
公开(公告)号: CN202063724U 公开(公告)日: 2011-12-07
发明(设计)人: 曾维华 申请(专利权)人: 四川瑞能硅材料有限公司
主分类号: C01B33/03 分类号: C01B33/03;C01B33/021;B01D53/18
代理公司: 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 代理人: 徐宏;吴彦峰
地址: 620041 四*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 适用于 多晶 生产 hcl 吸收塔
【说明书】:

技术领域

本实用新型属于硅化工领域,涉及一种适用于多晶硅生产的HCL吸收塔。 

背景技术

多晶硅,是单质硅的一种形态,是极为重要的优良半导体材料。多晶硅是电子工业中广泛用于制造半导体收音机、录音机、电冰箱、彩电、录像机、电子计算机等的基础材料。 

多晶硅生产的还原、氢化、合成工序的尾气中,主要成分都是H2、SiHCl3、SiH2Cl2、SiCl4和HCl等,只是各部分所占比例不同,所以三个工序回收处理尾气的工艺过程都是一样的。尾气进入系统以后首先经过冷凝段,通过水冷、气气换热、冷冻盐水冷却、制冷剂冷却,逐级冷凝,将99%以上的SiH2Cl2、SiHCl3、SiCl4从尾气中冷凝下来,经过气液分离罐后,冷凝下来的氯硅烷液体通过屏蔽泵送往精馏工序使用。 

从气液分离罐出来的气体,其主要成分是H2、HCl气体,以及少量的SiH2Cl2、SiHCl3、SiCl4气体。这些气体被送往压缩机升压至1.3MPaG以后,送往氯化氢吸收塔。在此塔内,-40℃的氯硅烷液体作为吸收溶剂从塔顶喷淋,剩下的SiH2Cl2、SiHCl3、SiCl4气体被完全冷凝。氯硅烷作为吸收溶剂,在高压低温下,HCl溶解于其中,成为含HCl较多的富液。剩下的H2,以及少量未被吸收的HCl气体被送往吸附柱。此柱内装有活性炭,将H2中少量HCl气体及其他微量杂质气体吸附,提纯后的H2达99.9%以上,被送回还原系统继续循环使用。 

富液靠压差送往氯化氢脱吸塔,在此塔内通过蒸汽加热,让HCl气体从氯硅烷液体当中释放出来,气体在塔顶被冷凝成液态HCl,除去其中含有的氢气以达到HCl提纯的目的,液态HCl经加热器汽化后送回合成氯化氢缓冲罐继续循环使用。从脱吸塔塔釜出来的含氯化氢较少的贫液通过屏蔽泵被送回吸收塔中继续作为吸收剂使用。 

在以上工艺过程中,由于系统不可避免的存在水解现象,会产生很多的残渣,如果在HCL吸收塔(填料塔)内采用槽盘式气液分布器,那么分布器的降液小孔就可能被这些残渣堵塞,从而影响生产的正常运行;另外,塔釜液体如果不经沉降分离而直接排往下一工序,也会给后续工序造成污染而影响多晶硅产品的品质。 

实用新型内容

本实用新型的发明目的在于:针对上述存在的问题,提供一种适用于多晶硅生产的 HCL吸收塔。该HCL吸收塔构思巧妙、设计合理,有效避免了设备的堵塞,并且保证了多晶硅产品的品质。 

为实现上述目的,本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是: 

一种适用于多晶硅生产的HCL吸收塔,包括塔体、设置在塔体顶部的气体出口、设置在塔体上部的洗涤液进口和设置在塔体中部的气体进口,所述塔体中设置有填料段,所述塔体的中部还设置有洗涤液出口,所述塔体的下部设置有排净口,所述塔体内设置有挡渣罩,该挡渣罩与排净口连通。

作为优选方式,所述塔体的底部设置有缓冲储桶。 

作为优选方式,所述洗涤液进口上设置有螺旋喷嘴。 

本实用新型采用螺旋喷嘴喷淋器,既满足了吸收剂均匀分布的要求,也避免了堵塞情况的发生;塔底部增设缓冲储桶,使残渣分离沉降,避免杂质进入后续生产工序,确保多晶硅产品质量;塔底排净管口增设挡渣罩,避免渣滓进入排净管,防止管道堵塞。 

由于采用了上述技术方案,本实用新型的有益效果是: 

本实用新型构思巧妙、设计合理,有效避免了设备的堵塞,并且保证了多晶硅产品的品质。

附图说明

图1是本实用新型结构示意图。 

图中标记:1塔体、2气体出口、3洗涤液进口、4气体进口、5填料段、6洗涤液出口、7排净口、8挡渣罩。 

具体实施方式

下面结合附图,对本实用新型作详细的说明。 

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。 

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