[实用新型]用于等离子处理装置的电场均匀调谐装备有效
申请号: | 201120072482.3 | 申请日: | 2011-03-18 |
公开(公告)号: | CN202025712U | 公开(公告)日: | 2011-11-02 |
发明(设计)人: | 王俊;吴狄;彭帆;黄智林 | 申请(专利权)人: | 中微半导体设备(上海)有限公司 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32 |
代理公司: | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人: | 张静洁;徐雯琼 |
地址: | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 等离子 处理 装置 电场 均匀 调谐 装备 | ||
1.一种用于等离子处理装置的电场均匀调谐装备,该等离子处理装置包括设置在反应腔(100)内的基座(22),基座(22)上方为基片加工区域,基座(22)内包括连接射频电源的下电极,所述的电场均匀调谐装备(10)安装在基座(22)上方并围绕基片加工区域,其特征在于,
该电场均匀调谐装备(10)包含若干环状结构,从外到内依次为外导电环状层(4)、绝缘环状层(2)、(3)、内导电环状层(1);其中,外导电环状层(4)和内导电层环状层(1)相对的圆环面上分别设置若干突出部和凹进部,且外导电环状层(4)和内导电层环状层(1)可以相对转动。
2.根据权利要求1所述的一种用于等离子处理装置的电场均匀调谐装备,其特征在于,所述的外导电环状层(4)和内导电层环状层(1)相对旋转时,内导电环状层(1)突出部和外导电环状层(4)突出部之间的距离发生变化。
3.根据权利要求1所述的一种用于等离子处理装置的电场均匀调谐装备,其特征在于,内导电环状层(1)和外导电环状层(4)上的突出部和凹进部在整个圆周上均匀交替分布。
4.根据权利要求1所述的一种用于等离子处理装置的电场均匀调谐装备,其特征在于,所述内导电环状层(1)和外导电环状层(4)的材料选自铝,硅,碳化硅之一。
5.根据权利要求1所述的一种用于等离子处理装置的电场均匀调谐装备,其特征在于,所述绝缘环状层由石英或陶瓷组成。
6.根据权利要求1所述的一种用于等离子处理装置的电场均匀调谐装备,其特征在于,所述绝缘环状层可以相对内导电环状层(1)或者外导电环状层(4)旋转。
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