[实用新型]一种高纯度单晶硅片有效

专利信息
申请号: 201120065579.1 申请日: 2011-03-14
公开(公告)号: CN201985116U 公开(公告)日: 2011-09-21
发明(设计)人: 谢靖 申请(专利权)人: 宁波矽源达新能源有限公司
主分类号: H01L31/0352 分类号: H01L31/0352;H01L31/04
代理公司: 杭州丰禾专利事务所有限公司 33214 代理人: 王晓峰
地址: 315021 浙江省宁波市*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 纯度 单晶硅
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及一种高纯度单晶硅片。

背景技术

随着全世界环境保护意识的高涨,地球升温所造成的自然灾害日益严重,和全世界十亿以上住在无电或缺电地区的人口用电量需求日益迫切,太阳能电池市场将会继续快速地成长。目前全世界太阳能电池的发电量还不到传统能源发电量的万分之一,主要因为太阳能电池发电的成本是传统能源发电成本的2~3倍。

从太阳能电池光电转换效率来看,近几年来,随着工艺技术水平的不断提高,也有重大的突破。目前,单晶硅太阳能电池转换效率已从3年前的14%提高到17%,多晶硅太阳能电池转换效率也从3年前的10%提高到15%,超高效率的太阳能电池转换效率已超过50%。

世界光伏组件产量上世纪末最后10年的平均增长率为20%,从1991年的55兆瓦增长到2000年的287兆瓦。而进入2000年后,全球光伏组件的年均增长率更是高达30%以上,2003年全球的产量达到了744兆瓦。光伏产业成为全球发展最快的新兴行业之一。太阳能电池需求年均增长率高达30%,可预见的高速增长将持续40年以上。

但现有技术中高纯度单晶硅片的形状通常都是四边形,而该四边形的四个角都是圆角,这主要是由单晶硅片的制造工艺所决定的,而且单晶硅片在使用和制造过程中容易损坏,现在对于已经损坏的单晶硅片通常都是做废弃处理,造成极大浪费,而事实上,这些已经损坏的单晶硅片在进行重新切割后部分是可用的。

发明内容

本实用新型针对现有技术中的不足,提供了一种结构简单、光电转换效率高的高纯度单晶硅片。

为了解决上述技术问题,本实用新型通过下述技术方案得以解决:一种高纯度单晶硅片,包括硅片本体,所述硅片本体为四个顶角均是直角的四边形。本实用新型首先利用废弃单晶硅片进行加工而成,具有节约成本,减少资源浪费的优点;另一方面,本实用新型的四个角均为直角,由于利用单晶硅片制成的光伏电池的发电功率与硅片的面积是成正比的,四个角为直角的形状使得硅片的表面积更大,而且在利用本实用新型制成的电池拼装成电池组的时候,电池与电池之间的间隙几乎没有,因此,本实用新型相对现有单晶硅片而言,还具有发电功率高,利用其制成电池后在拼装时对安装空间的利用更为充分的优点。

为了取得更好的技术效果,进一步的改进措施还包括:上述硅片本体为正方形。硅片本体做成正方形使每一边的边长都相等,在拼装电池组时更加方便快捷。

优选的,上述硅片本体的边长为125毫米。本优选方案主要是为了与现有技术中的硅片相匹配,使其适用范围更宽。

本实用新型与现有技术相比,具有如下有益效果:本实用新型首先利用废弃单晶硅片进行加工而成,具有节约成本,减少资源浪费的优点;另一方面,本实用新型相对现有单晶硅片而言,还具有发电功率高,利用其制成电池后在拼装时对安装空间的利用更为充分的优点。

附图说明

图1 为本实用新型实施例1的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图与具体实施方式对本实用新型作进一步详细描述。

实施例:一种高纯度单晶硅片,包括硅片本体1,所述硅片本体1为四个顶角均是直角,且边长为125毫米的正方形。

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