[实用新型]太阳能电池无效
申请号: | 201120054273.6 | 申请日: | 2011-03-02 |
公开(公告)号: | CN202009017U | 公开(公告)日: | 2011-10-12 |
发明(设计)人: | 洪进义;李宗龙 | 申请(专利权)人: | 太阳海科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;H01L31/052 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 郑小军;冯志云 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种太阳能电池,特别涉及一种具有可使光在其内部进行多次反射结构的太阳能电池。
背景技术
现今,主流的太阳能电池技术是建立在晶体硅(crystalline silicon)上。然而,单晶硅或多晶硅太阳能电池的成本高,造成其单位发电成本偏高,故仍难以大规模地取代传统、对环境冲击较大的发电方式。
此外,一种利用薄膜技术发展的太阳能电池为另一种替代选择。薄膜太阳能电池(thin film solar cell)具有低成本的优势,但一般而言,其能源转换效率低且耐用性较不足。如今,有不同种类的半导体化合物被用来制作薄膜太阳能电池,其中使用铜(Copper)铟(Indium)镓(Gallium)硒(Selenide)化合物的铜铟镓硒太阳能薄膜电池(CIGS film solar cells)是最具效率的一种。
CIGS薄膜太阳能电池拥有宽广的吸收光谱,其电池转换率最高可达约19%。此外,CIGS太阳能电池也易于量产,以及具有低材料成本等优点。CIGS太阳能电池所使用的吸光材料为铜铟镓硒化合物半导体。CIGS薄膜太阳能电池的基本结构通常包括:基材、盖板,以及位于基材与盖板间的太阳能电池单元,其中太阳能电池单元包括CIGS光吸收层。
通常,盖板包括一入光面和与该入光面相对的内表面。一般,盖板为高透光性的玻璃,其入光面与内表面均为平面。在使用时,太阳光从入光面进入CIGS薄膜太阳能电池,部分光为CIGS光吸收层所吸收,而部分光则反射出CIGS薄膜太阳能电池。由于反射出CIGS薄膜太阳能电池无法再被吸收利用,从而限制CIGS薄膜太阳能电池的效率。
发明内容
针对现有技术中存在的问题,本实用新型的一目的为提供一种太阳能电池,以提高薄膜太阳能电池的能源转换效率。
本实用新型的一目的是通过提高光线的吸收率,来提升薄膜太阳能电池的能源转换效率。
根据前述目的,本实用新型一实施例揭示一种太阳能电池,其包含一基板、一光吸收层,以及一盖板。光吸收层设置于基板上。盖板具有一表面及多个凹槽,其中表面面向该光吸收层,而该些凹槽排列在该表面上。
本实用新型的太阳能电池,优选的,该凹槽的形状为多边形。
本实用新型的太阳能电池,优选的,该凹槽的形状为六边形。
本实用新型的太阳能电池,优选的,该凹槽的形状为四边形。
本实用新型的太阳能电池,优选的,该太阳能电池还包含一封装材料,其中该封装材料设置于该吸收层与该盖板之间,且粘附该表面。
本实用新型的太阳能电池,优选的,部分的该封装材料在所述多个凹槽之内。
本实用新型的太阳能电池,优选的,该封装材料为热塑型高分子材料。
本实用新型的太阳能电池,优选的,该封装材料为乙烯醋酸乙烯酯。
本实用新型的太阳能电池,优选的,该盖板为低铁玻璃。
本实用新型的太阳能电池,优选的,该基板为玻璃基板。
本实用新型的太阳能电池,优选的,该光吸收层包含铜铟镓硒光吸收层或铜铟硒光吸收层。
本实用新型的太阳能电池,优选的,该凹槽的内径介于0.1mm~0.4mm,而该凹槽的深度小于0.4mm。
本实用新型的有益效果在于,本实用新型,能够提高薄膜太阳能电池的能源转换效率。具体的说,是通过提高光线的吸收率,来提升薄膜太阳能电池的能源转换效率。
附图说明
图1为本实用新型一实施例的太阳能电池的截面示意图;
图2显示本实用新型一实施例的太阳能电池单元的截面示意图;
图3为本实用新型一实施例的盖板的局部放大立体示意图;
图4为本实用新型另一实施例的盖板的局部放大立体示意图;
图5例示本实用新型一实施例的盖板与第二封装材料的结合示意图;
图6为本实用新型另一实施例的盖板与第二封装材料的结合示意图;以及
图7显示在本实用新型一实施例的太阳能电池内部,产生多次反射的示意图。
其中,附图标记说明如下:
1太阳能电池
2光线
3反射光
11基板
12第一封装材料
13太阳能电池单元
14第二封装材料
15盖板
15′盖板
16框胶材
22背电极
23光吸收层
24缓冲层
25绝缘层
26透明导电层
27上电极层
151表面
152入光面
153凹槽
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的