[实用新型]太阳能晶硅电池标准片有效
申请号: | 201120047528.6 | 申请日: | 2011-02-25 |
公开(公告)号: | CN202034384U | 公开(公告)日: | 2011-11-09 |
发明(设计)人: | 瞿辉;吴文;童彩霞;鲍洋 | 申请(专利权)人: | 江苏顺风光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;H01L31/05;G01R31/26 |
代理公司: | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人: | 路接洲 |
地址: | 213169 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能 电池 标准 | ||
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池领域,尤其是一种太阳能晶硅电池片标准测试类型和精准制作设计。
背景技术
全球太阳能背景,当电力、煤炭、石油等不可再生能源频频告急,能源问题日益成为制约国际社会经济发展的瓶颈时,越来越多的国家开始实行“阳光计划”,开发太阳能资源,寻求经济发展的新动力。太阳能作为一种可再生的新能源,越来越引起人们的关注。预计到2030年,可再生能源在总能源结构中将占到30%以上,而太阳能光伏发电在世界总电力供应中的占比也将达到10%以上;到2040年,可再生能源将占总能耗的50%以上,太阳能光伏发电将占总电力的20%以上;到21世纪末,可再生能源在能源结构中将占到80%以上,太阳能发电将占到60%以上。这些数字足以显示出太阳能光伏产业的发展前景及其在能源领域重要的战略地位。由此可看出太阳能电池片转换效率的重要性,利用标准电池片可测试电池片效率的准确性和数据真实性。
目前市场上提供标准电池测试类型的电池片片虽然设计原理和结构都符合标准规定,但是作为校准太阳能电池片的专用测试用具具有以下缺点:(1)传统校准片由资质的标定认证单位提供电池片进行校准,但这种电池片为裸片,易碎,使用寿命短;(2)测量操作不方便,测试准确度一般;(3)传统校准片为直接测试,校准片易受污染,使得测试误差大;(4)传统校准片由于一直与空气接触,电池片表面电极会氧化,使得转化效率降低,测试准确度降低,可 靠性失效。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是:提供一种测量操作简单,测试速度快,并且不易损伤硅片的太阳能晶硅电池标准片。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:一种太阳能晶硅电池标准片,具有玻璃底面,所述的玻璃底面上覆盖有两层EVA层,所述的两层EVA层与层之间设置有电池片,电池片上具有汇流条,电池片上层的EVA层的表面具有TPT层。
进一步具体的说,本实用新型所述的汇流条焊接在电池片上,所述的两层EVA层贴合在电池片的上下两个端面上,测试时只需用导线连接,降低了测试操作的复杂性及要求。
本实用新型在电池片表面覆盖EVA层和TPT层,能有效地防止电池片与大气接触。这是由于EVA的材质较薄、有粘性,在电池片表面贴合可以增加致密性。而TPT层作为保护膜,能够使电池片更好的隔绝空气、防氧化和抗潮湿,使得电池片拥有良好的电绝缘性能。所述玻璃底面及TPT可有效地保护电池片在测试过程中碎裂及电池片电极氧化,提高了电池标准片的使用寿命和测试准确度。
本实用新型所述的玻璃底面由PP材料制成,可以清晰直观的看到电池片各个部分。
本实用新型的有益效果是,解决了背景技术中存在的缺陷,利用气压将玻璃底面覆上EVA,盖在焊有汇流条的标准电池片上,底部再附上一层EVA和TPT,使电池片能紧密贴合,有效防止标准电池片与空气接触,使制成的电池标 准片能更好的隔绝空气、防氧化和抗潮湿、抗外界污染及腐蚀,并拥有良好的电绝缘性能。
附图说明
下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
图1是本实用新型的优选实施例的结构示意图;
图2是图1的侧视图;
图3是图2中A部分的放大图;
图中:1、汇流条;2、主栅线;3、子栅线;4、TPT层;5、EVA层;6、电池片;7、玻璃底面。
具体实施方式
现在结合附图和优选实施例对本实用新型作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图,仅以示意方式说明本实用新型的基本结构,因此其仅显示与本实用新型有关的构成。
如图1~3所示的一种太阳能晶硅电池标准片,具有玻璃底面7,所述的玻璃底面7上覆盖有两层EVA层5,所述的两层EVA层与层之间设置有电池片6,电池片6上具有汇流条1,电池片6上层的EVA层5的表面具有TPT层4。所述的汇流条1焊接在电池片6上,所述的两层EVA层5贴合在电池片6的上下两个端面上。
本实用新型的实际操作过程也相当的简单,用导线连接层压电池片两头的汇流条,形成回路,进行测试。
以上说明书中描述的只是本实用新型的具体实施方式,各种举例说明不对本实用新型的实质内容构成限制,所属技术领域的普通技术人员在阅读了说明 书后可以对以前所述的具体实施方式做修改或变形,而不背离实用新型的实质和范围。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的