[实用新型]MOS管的延时启动电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及电器领域，更具体地涉及一种MOS管的延时启动电路。

背景技术

在当今的大多电器产品中，特别是大功率电子设备中都要使用到MOS管，在MOS管栅极施加一个驱动信号来控制负载电路开与关的工作状态。一般情况下，从控制芯片输出的控制信号，通过一个电阻连接至MOS管的栅极，从而实现对MOS管的开关控制。然而，在这种情况下，控制芯片给MOS管提供的驱动电压跃变很快，容易引起很高的开通浪涌和噪声，从而导致MOS管瞬间导通电流过大而造成的损坏，并影响整个开关电路的EMC特性。通常，可以通过在输出控制信号和MOS管的栅极直接增加专用驱动芯片的方法来解决这个问题，但使用这种方法势必造成成本的增加，显然不适合大批量推广使用。

因此，亟待一种既能防止开启瞬间电流过大而损坏MOS管，又能节省成本的MOS管延时启动电路，来克服上述缺陷。 

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种改进型的能够保护MOS管的MOS管的延时启动电路，其能够避免开启瞬间电流过大而损坏MOS管，又能节省其制造成本。

为了实现上述目的，本实用新型提供了一种MOS管的延时启动电路，其包括电阻、电容以及MOS管，所述电阻的一端连接控制信号输入端，所述电阻的另一端连接MOS管的栅极和所述电容的一端，所述电容的另一端连接MOS管的源极和信号输入端，所述MOS管的漏极连接信号输出端。

较佳地，在所述MOS管的延时启动电路中，所述电容的值大于1K皮法。

较佳地，在所述MOS管的延时启动电路中，所述电阻的值大于10K欧姆。

在本实用新型的一个实施例中，所述MOS管的延时启动电路，在所述MOS管的延时启动电路中，所述电容的值为100K皮法，所述电阻的值为100K欧姆。

与现有技术相比，本实用新型MOS管的延时启动电路由于在MOS管的栅极与源极之间并联了一个电容，同时在MOS管的栅极与控制信号输入端之间串联入一个电阻，所述电容与电阻的排布构成了RC延时网络。由于RC延时网络的存在，当控制信号的电流输入而驱动MOS管时，MOS管的栅极电压在电容的作用下缓慢到达其门限值，使MOS管的导通电流逐渐变大，从而避免了激增的电流对MOS管的损害，进而保护了MOS管且延长了其使用寿命。并且，由于本实用新型突破了传统的利用昂贵的驱动芯片来完成延时保护MOS管的做法，仅利用较为简单的电阻电容组成的RC延时网络即可实现延时保护的功能，从而节省了MOS管的制造成本。

通过以下的描述并结合附图，本实用新型将变得更加清晰，这些附图用于解释本实用新型的实施例。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本实用新型MOS管的延时启动电路的电路原理图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。现在参考附图描述本实用新型的实施例，附图中类似的元件标号代表类似的元件。本实用新型提供了一种改进型的能够保护MOS管的MOS管的延时启动电路，其能够避免开启瞬间电流过大而损坏MOS管，又能节省其制造成本。

图1所示为本实用新型MOS管的延时启动电路的电路原理图。参考图1，

本实用新型MOS管的延时启动电路10包括MOS管Q1、电阻R1、电容C1、控制信号输入端11、信号输入端12以及信号输出端13。具体地，所述电阻R1的一端连接控制信号输入端11，所述电阻R1的另一端连接MOS管Q1的栅极和所述电容C1的一端，所述电容C 1的另一端连接MOS管Q 1的源极和输入信号输入端12，所述MOS管Q1的漏极连接信号输出端13。电阻R1和电容C1组成了RC延时网络。