[实用新型]用于硅片镀膜的承载装置无效
| 申请号: | 201120044309.2 | 申请日: | 2011-02-22 |
| 公开(公告)号: | CN201990727U | 公开(公告)日: | 2011-09-28 |
| 发明(设计)人: | 张春华;李文;孟祥熙;辛国军;周秋芳;费倍辈;王虎;章灵军 | 申请(专利权)人: | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯(中国)投资有限公司 |
| 主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458;H01L31/18 |
| 代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人: | 陶海锋 |
| 地址: | 215129 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 硅片 镀膜 承载 装置 | ||
1.一种用于硅片镀膜的承载装置,包括石墨碳板(1),石墨碳板上设有至少1个承载位,其特征在于:所述承载位向内凹陷形成外承载槽(2),外承载槽内设有内承载槽(3),内承载槽的大小与硅片配合。
2.根据权利要求1所述的用于硅片镀膜的承载装置,其特征在于:所述外承载槽的深度为0.5~1.2 mm,内承载槽的深度为1.0~2.0 mm,内承载槽的内壁与外承载槽内壁的间距为0.5~1.5 mm。
3.根据权利要求2所述的用于硅片镀膜的承载装置,其特征在于:所述外承载槽的深度为0.5 mm,内承载槽的深度为1.0 mm。
4.根据权利要求1所述的用于硅片镀膜的承载装置,其特征在于:所述内承载槽和外承载槽为同心结构。
5.根据权利要求1所述的用于硅片镀膜的承载装置,其特征在于:所述内承载槽的至少一条底边设有凹槽(4)。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





