[实用新型]一种控制器无效
| 申请号: | 201120044135.X | 申请日: | 2011-02-22 |
| 公开(公告)号: | CN201956988U | 公开(公告)日: | 2011-08-31 |
| 发明(设计)人: | 张卫丰;王瑞春;谢华;刘德新 | 申请(专利权)人: | 深圳信息职业技术学院 |
| 主分类号: | H03K7/08 | 分类号: | H03K7/08;H03K19/14 |
| 代理公司: | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人: | 张全文 |
| 地址: | 518000 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 控制器 | ||
技术领域
本实用新型属于控制技术领域,尤其涉及一种控制器。
背景技术
现有的控制器一般都采用普通的脉冲宽度调制(Pulse Width Modulation,PWM)控制技术,例如普通的马达控制器;或者采用正弦脉冲宽度调制的控制技术,例如不间断电源(Uninterruptible Power System,UPS)。采用上述控制算法的控制器控制性能不高,产生的谐波较大。
同时,现有控制器的信号检测电路无法满足多种信号采集的需求;控制器件与主功率电路、各负载之间不具备实时通信功能;控制器件与主功率电路之间未实现强弱电隔离,存在着安全隐患;此外,现有的控制器不具备扩展的存储装置,导致控制器处理速度和数据存储能力有限;在控制器中无法实时对工作状态和工作数据进行显示。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种控制器,旨在解决现有的控制器大多采用PWM控制技术,信号采集种类受限,控制系统内无法实现实时通信,且无法实现强弱电隔离的问题。
本实用新型是这样实现的,一种控制器,所述控制器包括:
用于进行运算处理以及对所述控制器的信号进行管理的主控制器件;
与所述主控制器件连接的SVPWM信号发生电路;
与所述SVPWM信号发生电路连接的主功率电路;
与所述主控制器件连接,用于对输入所述主控制器件的采样信号进行选择的采样通道选择电路;
与所述主控制器件连接,用于提供所述主控制器件与所述主功率电路的并机通信接口的通信接口电路;
连接在所述主控制器件与所述主功率电路之间的光耦隔离电路。
进一步地,所述控制器还包括:
连接在所述主控制器件与所述通信接口电路之间的光耦隔离电路。
更进一步地,所述控制器还包括:
连接在所述主控制器件与计算机之间的仿真接口电路。
更进一步地,所述控制器还包括:
与所述主控制器件连接,用于对所述主控制器件的输入/输出口进行分时复用的输入/输出口分时复用电路。
更进一步地,所述控制器还包括:
与所述主控制器件连接的扩展存储器。
更进一步地,所述扩展存储器包括只读存储器和随机存储器。
更进一步地,所述控制器还包括:
与所述主控制器件连接,用于实时显示所述控制器的工作状态和工作数据的显示电路。
本实用新型实施例通过在控制器中集成SVPWM信号发生电路,采用SVPWM控制技术提高了直流母线电压利用率,降低了输出电流谐波。同时,在控制器中集成了信号采样通道选择电路、通信接口电路以及光耦隔离电路,很好地对控制器的外围电路进行了扩展,完善了控制器功能,并通过输入/输出口分时复用电路、扩展存储器以及显示电路优化了控制器的功能。
附图说明
图1是本实用新型第一实施例提供的控制器的功能模块框图;
图2是本实用新型第二实施例提供的控制器的功能模块框图。
具体实施方式
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。
本实用新型实施例通过在控制器中集成空间矢量脉冲宽度调制(SpaceVector Pulse Width Modulation,SVPWM)信号发生电路,采用SVPWM控制技术提高了直流母线电压利用率,降低了输出电流谐波。同时,在控制器中集成了信号采样通道选择电路、通信接口电路以及光耦隔离电路,很好地对控制器的外围电路进行了扩展,完善了控制系统功能。
图1示出了本实用新型第一实施例提供的控制器的功能模块框图,为了便于描述,仅示出了与本实施例相关的部分。
参照图1,本实用新型实施例提供的控制器包括主控制器件11,以及与主控制器件11连接的SVPWM信号发生电路12、主功率电路13、采样通道选择电路14、通信接口电路15和光耦隔离电路16,其中:
主控制器件11位于该控制器中央,适用于数字马达控制、电机控制、工业自动化、电力转换系统等应用场合中,用于对SVPWM算法进行运算处理,并集中管理各种信号,因此其既具有数字信号处理能力,又具有强大的事件管理能力和嵌入式控制功能。作为本实用新型的一个实现示例,主控制器件11可以采用美国TI公司推出的定点DSP芯片TMS320F2812,该芯片中内含128K×16位的片内Flash存储器,同时具备外部存储器接口。
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