[实用新型]发光二极管有效
| 申请号： | 201120035093.3 | 申请日： | 2011-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN201975415U | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 龚正;杨政达;温祥一 | 申请（专利权）人： | 鼎元光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 梁爱荣 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 | ||
【权利要求书】：
1.一种发光二极管，其特征在于，包括：
一磊晶芯片，该磊晶芯片的顶面设有多个轮廓不规律的凹槽，该凹槽的表面呈粗糙状，且该磊晶芯片的顶面亦呈粗糙状；
一P型电极，形成于该磊晶芯片上，该P型电极与该磊晶芯片电性耦合；以及
一N型电极，形成于该磊晶芯片上，该N型电极与该磊晶芯片电性耦合。
2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，该磊晶芯片是由P型磊晶层、发光层以及N型磊晶层由上而下依序结合而成。
3.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，该P型电极设置于P型磊晶层表面。
4.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，该P型磊晶层为铝砷化镓层。
5.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，N型电极设置于N型磊晶层的底面。
6.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，该N型磊晶层为铝砷化镓层。
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