[实用新型]一种高出光效率的LED晶片无效
| 申请号： | 201120034857.7 | 申请日： | 2011-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN201985156U | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 樊邦扬;叶国光;梁伏波;杨小东;曹东兴 | 申请（专利权）人： | 广东银雨芯片半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/46 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 529700 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高出光 效率 led 晶片 | ||
【权利要求书】：
1.一种高出光效率的LED晶片，包括衬底，形成于衬底正面的半导体层，所述半导体层包括依次形成于衬底正面的N型半导体层、发光层以及P型半导体层，其特征在于：所述衬底为倒梯台形状，倒梯台衬底的侧边与垂直方向形成的夹角为30～45°；所述半导体层为倒梯台形状，倒梯台半导体层的侧边与衬底正面形成的夹角为50～70°，所述半导体层的底部表面积比所述衬底正面的表面积小。
2.根据权利要求1所述高出光效率的LED晶片，其特征在于：所述倒梯台衬底的侧边与垂直方向形成的夹角为38°；倒梯台半导体层的侧边与衬底正面形成的夹角为60°。
3.根据权利要求1或2所述高出光效率的LED晶片，其特征在于：所述衬底与N型半导体层之间还设置有一层缓冲层，所述缓冲层与所述N型半导体层形成倒梯台形状，缓冲层的底部表面积比所述衬底正面的表面积小。
4.根据权利要求3所述高出光效率的LED晶片，其特征在于：所述倒梯台衬底的背面及侧面设置有反射层。
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