[实用新型]新型硅/铜铟硒太阳电池结构

权利要求书

1.新型硅/铜铟硒太阳电池结构其特征在于：该新型太阳电池分为上电池和下电池，上电池为铜铟硒电池，下电池为硅电池，上电池沉积于下电池表面。

2.根据权利要求1所述的新型硅/铜铟硒太阳电池结构，其特征是下电池包括背电极、p-Si和n-Si，并在n-Si沉积p-Si表面。

3.根据权利要求1所述的新型硅/铜铟硒太阳电池结构，其特征是上电池包括n⁺-ZnO薄膜、p⁺-CuAB₂薄膜、Cu(In，A)B₂薄膜、i-ZnO薄膜、ZnO:Al薄膜和镍铝上电极。其中n⁺-ZnO薄膜沉积于n-Si表面，p⁺-CuAB₂和p-Cu(In，A)B₂薄膜分别先后沉积于n⁺-ZnO薄膜表面，i-ZnO薄膜沉积于p-Cu(In，A)B₂薄膜表面，其中A为Ga或Al，B为Se或S，ZnO:Al薄膜沉积于i-ZnO薄膜，最后在ZnO:Al薄膜蒸镀镍铝上电极。

4.根据权利要求1或2所述的新型硅/铜铟硒太阳电池结构，其特征是下电池采用p型多晶硅片，硅片电阻率为0.5Ω·cm-3.0Ω·cm，厚度为200μm，多晶硅片一面蒸镀镍铝作为背电极，另一面通过磷扩散得到n型硅。

5.根据权利要求1或2所述的新型硅/铜铟硒太阳电池结构，其特征是下电池采用钼导电玻璃为基体沉积的p-Si，然后在p-Si表面沉积为n-Si，方块电阻为40-80Ω/□。