[实用新型]高压开关柜局放检测TEV传感器

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种高压开关柜局部放电检测传感器，特别是一种能检测局部放电在高压开关柜柜体上产生的瞬时对地电压（TEV）的装置，属检测技术领域。

背景技术

高压开关柜是电力系统中常用的重要设备，局部放电是引发开关柜绝缘故障的主要原因，因此，有效检测局部放电对确保高压开关柜的安全稳定运行具有重要意义。

目前，最常用的局部放电检测方法是超声测量法，采用该方法检测超声波信号时，超声探头必须与开关柜体保持良好接触，而且需要在超声探头与柜体之间涂抹耦合剂，安装操作十分繁琐，费时费力而且检测结果极易受到外界环境的影响。如果能够设计一种操作简单，安装方便、快捷且抗干扰能力强的局部放电传感器，必将大大减少高压开关柜巡检的工作量，提高检测工作效率和检测结果的可靠性。

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服现有技术的不足、提供一种操作简单，安装方便、快捷且抗干扰能力强的高压开关柜局放检测TEV传感器。

本实用新型所述问题是以下述技术方案实现的：

一种高压开关柜局放检测TEV传感器，由外壳、底盖、屏蔽罩、平板式电容耦合器和信号处理电路组成，所述信号处理电路的电路板安装在屏蔽罩内，所述屏蔽罩安装在外壳内，所述平板式电容耦合器安装在外壳的下表面并由底盖覆盖，其信号传输线接信号处理电路的输入端，所述外壳的底部和/或顶部嵌装有磁铁。

上述高压开关柜局放检测TEV传感器，所述信号处理电路由依次连接的滤波器、第一超高频放大器、第二超高频放大器、检波芯片和峰值保持电路组成，所述滤波器的输入端接平板式电容耦合器的输出信号，所述峰值保持电路由两个运算放大器、两个二极管、一个电阻和一个电容组成，第一运算放大器的同相输入端接检波芯片的输出端，反相输入端接第二运算放大器的同相输入端，输出端依次经第一二极管和第二二极管接第二运算放大器的同相输入端；所述第二运算放大器接成电压跟随器，其输出端通过安装在外壳上的输出接口与局放仪连接；所述电阻一端接两个二极管的串接点，一端接第二运算放大器的输出端；所述电容一端接地一端接第二运算放大器的同相输入端。

上述高压开关柜局放检测TEV传感器，所述屏蔽罩设置四个腔，四个腔内分别安装滤波器、两级高频放大器、检波芯片和峰值保持电路的电路板。

本实用新型利用平板式电容耦合器接收局部放电在高压开关柜柜体上产生的瞬时对地电压信号，该信号由信号处理电路采集并处理后送到局放仪。由于信号处理电路安装在屏蔽罩内，有效抑制了外部信号的干扰以及本电路对外部的干扰。同时，由于外壳上嵌装有磁铁，本传感器可依靠磁力吸附于高压开关柜的外壳上，安装非常方便。屏蔽罩采用多腔体结构，减少了电路间的互扰。

本实用新型安装方便、快捷且抗干扰能力强，可大大减少高压开关柜巡检的工作量，提高检测工作效率和检测结果的可靠性。

附图说明

下面结合附图对本实用新型进一步说明。

图1是本实用新型的结构示意图；

图2是电原理图。

图中各标号为：1、外壳主体；2、顶部磁铁；3、壳体顶盖；4、屏蔽罩；5、电路板；6、底部磁铁；7、底盖；8、信号传输线；P、输出接口；ANT、平板式电容耦合器；LB、滤波器；FD1、FD2、超高频放大器；U1、检波芯片；F1、F2、运算放大器；D1、D2、二极管；C、电容；R、电阻；P、输出接口。

具体实施方式

参看图1，本实用新型由外壳、屏蔽罩4，磁铁（包括顶部磁铁2和底部磁铁6），平板式电容耦合器ANT（天线）和信号处理电路组成，其中，外壳由外壳主体1和壳体顶盖3组成。电路板5位于屏蔽罩4内部，屏蔽罩4采用多腔体结构。平板式电容耦合器ANT接收面积大，对于开关柜内部局部放电在柜体产生的对地瞬时电压响应度高。外壳顶部和底部均嵌有磁铁，可吸附在开关柜壳体上，使用方便。屏蔽罩4和平板式电容耦合器ANT位于由外壳主体1、壳体顶盖3和底盖7所围成的空间内，减少了在手持使用时人体对内部电路的影响。 屏蔽罩4内部采用多腔体结构，减少了电路间的互扰。平板式电容耦合器ANT与被测品金属表面以底盖7为介质形成电容式耦合。

参看图2，由平板式电容耦合器ANT（天线）接收到的信号输入到电路板上，该信号经滤波器LB滤波后传输至超高频放大器FD1、FD2，经过两级放大后的信号传输至检波芯片U1（U1采用LG5534）进行检波，将采集到的超高频信号降至低频信号，再经由F1、F2、D1、D2、R、C组成的峰值保持电路进一步拉长脉冲信号的衰减时间，使得信号频率降低至局放仪可以检测的频率， 再经由输出接口P接至局放仪的输入通道上。