[实用新型]阵列基板和液晶显示器

说明书

技术领域

本实用新型涉及液晶显示技术，尤其涉及一种阵列基板和液晶显示器。

背景技术

液晶显示器是目前常用的平板显示器，其中薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD)是液晶显示器中的主流产品。为提高产品的竞争力，通过采用新技术降低产品成本的方法是最直接也是最有效的方法之一。由于数据信号驱动IC的成本比栅扫描信号驱动IC的成本高，所以现有技术降低成本的一种方式是以增加栅线为代价尽量减少数据线的数量，从而减少数据线号驱动IC的数量。

如图1所示为现有技术中一种阵列基板的局部俯视结构示意图，示出了阵列基板上红绿蓝(RGB)三原色的子像素的布局以及数据线5和栅线2的大致位置。这种阵列基板中，构成一个像素单元的RGB三个子像素单元沿数据线5方向纵向排列，则每个像素单元需要三条栅线2和一条数据线5来控制，该方式可以通过增加栅线2数量来减少数据线5的数量。相比于RGB子像素单元横向排列的方式，栅线2增至原有的三倍。

近年来，边缘场切换开关技术(Fringe Field Switching，简称FFS)和高级超维场开关技术(Advanced-Super Dimensional Switching；简称：AD-SDS)等宽视角技术成为重要研究方向，AD-SDS通过同一平面内像素电极边缘所产生的平行电场以及像素电极层与公共电极层间产生的纵向电场形成多维空间复合电场，使液晶盒内像素电极间、电极正上方以及液晶盒上方所有取向液晶分子都能够产生旋转转换，从而提高了平面取向系液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场开关技术可以提高TFT-LCD画面品质，具有高透过率、宽视角、高开口率、低色差、低响应时间、无挤压水波纹(push Mura)波纹等优点。以上两种技术的阵列基板包括衬底基板；衬底基板上形成有横纵交叉的数据线和栅线；数据线和栅线围设形成矩阵形式排列的子像素单元；每个子像素单元包括TFT开关、第一透明电极和第二透明电极，TFT开关包括栅电极、有源层、源电极和漏电极。各种图案的典型层次关系是自衬底基板开始，依次包括第一透明电极(1st ITO)；栅线和栅电极(Gate)；有源层、源电极、漏电极和数据线(Multi & SD)；钝化层(PVX)；第二透明电极(2 nd ITO)，即通常可记为1st ITO/Gate/Multi & SD/PVX/2 nd ITO的结构。其中，第一透明电极通常为公共电极，第二透明电极通常为像素电极，由于公共电极10材料的电阻较大，为保证公共电极10上电压的均匀，通常会在阵列基板上采用良导电材料制备公共电极线12，如图1所示，采用栅线2的材料同层形成公共电极线12，分别与各子像素单元中的公共电极10相连，公共电极线12连接至阵列基板外围的线路，以供给公共电压。

但是，上述结构存在一定的缺陷，由于栅线的数量增加，所以与栅线同层且相邻间隔形成的公共电极线数量也相应增加。图1所示的三倍栅线(Triple Gate)结构中，对于一个像素单元而言，其需要三条公共电极线，导致像素单元的开口率下降，透过率降低，则为避免亮度降低就需要提高驱动功耗，这显然不利于产品总体成本的降低。

实用新型内容

本实用新型提供一种阵列基板和液晶显示器，以提高阵列基板中像素单元的开口率。

本实用新型提供了一种阵列基板，包括衬底基板；衬底基板上形成有横纵交叉的数据线和栅线；数据线和栅线围设形成矩阵形式排列的子像素单元；每个子像素单元包括TFT开关、像素电极和公共电极，其中，还包括：

公共电极线，与所述数据线同层且间隔形成，所述公共电极线分别与各子像素单元中的公共电极相连。

所述公共电极线的数量与数据线的数量对应，且与数据线平行。

如上所述的阵列基板，优选的是：

所述像素电极直接形成在所述衬底基板上，并覆盖在栅绝缘层之下；

所述公共电极形成在覆盖所述数据线和公共电极线的钝化层之上；

所述公共电极线通过所述钝化层中的第一过孔与所述公共电极相连。

如上所述的阵列基板，优选的是还包括：采用公共电极的材料制成且与公共电极一体成型的第一跨接线，所述第一跨接线通过第一过孔连接相邻的公共电极和公共电极线。

如上所述的阵列基板，优选的是：

所述公共电极直接形成在所述衬底基板上，并覆盖在栅绝缘层之下；

所述像素电极形成在覆盖所述数据线和公共电极线的钝化层之上；