[实用新型]发光二极管晶片、测试探针组结构及其掩模有效
| 申请号： | 201120012370.9 | 申请日： | 2011-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN201966213U | 公开（公告）日： | 2011-09-07 |
| 发明（设计）人： | 林朝晖 | 申请（专利权）人： | 泉州市金太阳电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15;H01L33/38;G01R1/073;G03F1/14 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 362000 福建省泉州市鲤城区南环*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 晶片 测试 探针 结构 及其 | ||
【权利要求书】：
1.一种发光二极管晶片结构，其特征在于：所述晶片结构以四个芯片作为一个测试单元，所述测试单元以位于中部的第一电极作为共用测试电极，其余四个第二电极位于角部。
2.根据权利要求1所述的结构，其特征在于：所述第一电极为n型电极，所述第二电极为p型电极。
3.根据权利要求1所述的结构，其特征在于：所述第一电极为p型电极，所述第二电极为n型电极。
4.一种测试探针组结构，其特征在于：所述测试探针组结构包括五支探针，并呈中央一支探针、其余四支位于角部的“X”形排列。
5.根据权利要求4所述的结构，其特征在于：所述与测试设备相连，所述测试设备依次读取中央探针与四支角部探针获得的数据。
6.一种用于形成发光二极管晶片结构的掩模，其特征在于：所述掩模的图形为以四个芯片组成的测试图形的重复图形，所述测试图形包括位于四个芯片中部的第一区域和位于角部的四个第二区域。
7.根据权利要求6所述的掩模，其特征在于：所述第一区域为n型电极区，所述第二区域为p型电极区。
8.根据权利要求6所述的掩模，其特征在于：所述第一区域为p型电极区，所述第二区域为n型电极区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
