[实用新型]植入式双模刺激芯片及双模神经刺激系统有效

专利信息
申请号: 201120010714.2 申请日: 2011-01-14
公开(公告)号: CN202191603U 公开(公告)日: 2012-04-18
发明(设计)人: 吴有林 申请(专利权)人: 鼎迈医疗科技(苏州)有限公司
主分类号: A61N1/372 分类号: A61N1/372
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 215123 江苏省苏州市*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 植入 双模 刺激 芯片 神经 系统
【权利要求书】:

1.一种植入式双模刺激芯片,其特征在于:包括:

数字控制模块,所述数字控制模块用于输出数字控制信号控制刺激脉冲的输出;

模拟脉冲发生模块,所述模拟脉冲发生模块与所述数字控制模块相连接,所述模拟脉冲发生模块包括恒压刺激发生电路和恒流刺激发生电路,用于产生恒压刺激脉冲或恒流刺激脉冲;

输出控制模块,所述输出控制模块与所述数字控制模块、模拟脉冲发生模块均相连接,用于将恒压刺激脉冲或恒流刺激脉冲通过电极输出体外;

刺激输出测量模块,所述刺激输出测量模块与所述数字控制模块、输出控制模块均相连接,所述刺激输出测量模块由数字控制模块控制,用于测量所述输出控制模块输出的刺激电压或刺激电流并反馈给所述数字控制模块;

所述植入式双模刺激芯片具有恒压刺激模式和恒流刺激模式两种刺激模式,当处于恒压刺激模式时,所述模拟脉冲发生模块的恒压刺激发生电路产生恒压刺激脉冲输出;当处于恒流刺激模式时,所述模拟脉冲发生模块的恒流刺激发生电路产生恒流刺激脉冲输出。

2.根据权利要求1所述的植入式双模刺激芯片,其特征在于:所述恒压刺激发生电路包括基准电流发生模块、对所述基准电流发生模块进行运算得到的基准电压发生模块、用于所述基准电压发生模块的输出电压进行反馈放大的电压反馈放大模块、恒压刺激运算放大输出模块。

3.根据权利要求2所述的植入式双模刺激芯片,其特征在于:所述恒流刺激发生电路包括所述基准电流发生模块及对所述基准电流发生模块的输出电流进行反馈放大的电流反馈放大模块。 

4.根据权利要求2所述的植入式双模刺激芯片,其特征在于:所述基准电流发生模块包括可编程电流数模转换电路Current DAC,用于产生基准电流Idac;

所述基准电压发生模块包括第一电阻Rdac,所述第一电阻Rdac的输入端与所述可编程电流数模转换电路Current DAC的输出端相连接,其两端用于产生基准电压Vdac;

所述电压反馈放大模块包括串联连接在刺激脉冲输出端和刺激地输出端之间的第一反馈分压电阻Rfb和第二反馈分压电阻Rfn,所述第二反馈分压电阻Rfn两端产生的反馈电压Vs_fb用于调节刺激电压脉冲输出为设定值;

所述恒压刺激运算放大输出模块包括运算放大器A1,所述运算放大器A1的同相输入端与所述第一电阻Rdac的输入端相连接用于将基准电压Vdac输入运算放大器,所述运算放大器的反相输入端与所述第一反馈分压电阻Rfb和第二反馈分压电阻Rfn之间的连接端相连接用于将反馈电压Vs_fb输入运算放大器A1,所述运算放大器A1用于对所述基准电压Vdac进行放大运算产生恒压刺激电压输出。

5.根据权利要求4所述的植入式双模刺激芯片,其特征在于:所述恒压刺激发生电路还包括:

第一恒压开关VS1,所述第一恒压开关VS1串接在可编程电流数模转换电路Current DAC与第一电阻Rdac之间;

第二恒压开关VS2,所述第二恒压开关VS2的输入端与所述运算放大器A1的输出端相连接;

第四场效应晶体管Md,所述第四场效应晶体管Md的栅极与所述第二恒压开关VS2的输出端相连接,所述第四场效应晶体管Md的漏极用于产生恒定刺 激电压输出;

所述第一恒压开关VS1与第二恒压开关VS2同时开闭用于启用或禁用恒压刺激模式。

6.根据权利要求3所述的植入式双模刺激芯片,其特征在于:所述恒流刺激发生电路包括:

所述基准电流发生模块包括可编程电流数模转换电路Current DAC,用于产生基准电流Idac;

所述电流反馈放大模块为包括第一场效应晶体管Ma、第二场效应晶体管Mb和第三场效应晶体管Mcd的镜像电流放大电路。

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