[实用新型]氮化铝电阻有效
| 申请号: | 201120010489.2 | 申请日: | 2011-01-14 |
| 公开(公告)号: | CN201994149U | 公开(公告)日: | 2011-09-28 |
| 发明(设计)人: | 曹骥;彭海 | 申请(专利权)人: | 杭州通测微电子有限公司 |
| 主分类号: | H01C7/00 | 分类号: | H01C7/00 |
| 代理公司: | 杭州天正专利事务所有限公司 33201 | 代理人: | 王兵;王利强 |
| 地址: | 311231 浙江省杭州*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 氮化 电阻 | ||
技术领域
本实用新型属于一种氮化铝电阻。
背景技术
随着国际上对材料环保的重视及ROHS认证的大规模普及,使得具有高热导率、低介电常数、高强度、高硬度、无毒、热膨胀系数与Si相近,物理性能良好又很环保的氮化铝陶瓷成为我们设计大功率、高频率、小体积射频产品的首选材料。
然而,在专业大功率氮化铝功率负载的生产上,对于与之匹配的氮化铝电阻浆料的选择和应用,国内许多公司和研究所仍然还处在探索阶段,具备大批量生产能力和成熟应用技术的更是寥寥无几。
现有的氮化铝电阻中,所开设的调阻刀口呈S型、L型或直型,存在的技术缺陷为:功率热点比较集中,热点效应比较大,承载的功率受限。
发明内容
为了克服现有氮化铝电阻的功率热点比较集中、热点效应比较大、承载的功率受限的不足,本实用新型提供一种功率热点不集中,有效减少热点效应、提升承载功率上限的氮化铝电阻。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:
一种氮化铝电阻,包括电阻本体,在所述电阻本体上开设调阻刀口,所述调阻刀口的横截面呈U字形,所述刀口角度为钝角,所述调阻刀口有两个,两个调阻刀口的切入点呈对角方位。
本实用新型的有益效果主要表现在:功率热点不集中,有效减少热点效应、提升承载功率上限。
附图说明
图1是氮化铝电阻的示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型作进一步描述。
参照图1,一种氮化铝电阻,包括电阻本体1,在所述电阻本体上开设调阻刀口2,所述调阻刀口2的横截面呈U字形,所述刀口角度为钝角,所述调阻刀口2有两个,两个调阻刀口的切入点呈对角方位。
本实施例中,采用的“U”字型调阻方式,将刀口角度改为钝角,槽痕较宽,这样一来被割出的电阻“孤岛”在高频应用时不会有很强的电容效应,同时在高功率使用时不会有局部电弧等热点效应产生。从而能使功率负载产品承载更高的功率,在高频端的参数也会更好。
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