[实用新型]硅晶微麦克风装置

权利要求书

1.一种硅晶微麦克风装置，包括硅基、振膜、背极板、背电极以及至少两键合用焊盘，该硅基支撑该背极板及该振膜，该背极板支撑该背电极，该两键合用焊盘之一设置于该背电极上，该两键合用焊盘之二的一部分设置于该振膜上，另一部分设置于该背电极上，其特征在于：还包括保护层，该保护层一部分不完全覆盖该两键合用焊盘表面，另一部分连接该背电极。

2.根据权利要求1所述的硅晶微麦克风装置，其特征在于：该保护层是金属钝化层，覆盖该键合用焊盘周边的表面。

3.根据权利要求2所述的硅晶微麦克风装置，其特征在于：该金属钝化层是氮化硅材料，或者是氮化硅与氧化硅的复合层材料。

4.根据权利要求3所述的硅晶微麦克风装置，其特征在于：该保护层还包括金属支架层，该金属支架层部分地覆盖该键合用焊盘表面，该金属支架层还与该背电极连接，该金属钝化层设置于该金属支架层表面。

5.根据权利要求1所述的硅晶微麦克风装置，其特征在于：该键合用焊盘是两个或多个。

6.根据权利要求1所述的硅晶微麦克风装置，其特征在于：该保护层是单层结构或多层结构。

7.根据权利要求1所述的硅晶微麦克风装置，其特征在于：该保护层厚度是0.1到4.0微米。

8.根据权利要求1所述的硅晶微麦克风装置，其特征在于：其中该背极板厚度为0.5-7.0微米。

9.根据权利要求1所述的硅晶微麦克风装置，其特征在于：其中该振膜的厚度为0.1-4.0微米。