[发明专利]聚合物,光致抗蚀剂组合物和形成光刻图案的方法有效

专利信息
申请号: 201110463256.2 申请日: 2011-12-31
公开(公告)号: CN102617789A 公开(公告)日: 2012-08-01
发明(设计)人: Y·C·裴;T·H·彼德森;刘沂;朴钟根;李承泫;T·卡多拉西亚 申请(专利权)人: 罗门哈斯电子材料有限公司;陶氏环球技术有限公司
主分类号: C08F220/32 分类号: C08F220/32;C08F222/14;C08F220/18;C08F220/28;G03F7/004;G03F7/00
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 陈哲锋
地址: 美国马*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 聚合物 光致抗蚀剂 组合 形成 光刻 图案 方法
【权利要求书】:

1.一种聚合物,所述聚合物包括:

由下面通式(I)的单体形成的第一单元:

其中:L代表单键或C1到C10的有机基团;R1代表氢或C1到C3的烷基基团;R2各自独立的代表氢原子或C1到C10的有机基团;R3各自独立的代表氢原子或C1到C10的有机基团,那些连接到同一个碳原子的R3任选的一起形成环;和R4各自独立的代表C1到C10的有机基团,那些连接到同一个碳原子的R4任选的一起形成环;和

包括内酯部分的第二单元。

2.权利要求1的聚合物,进一步包括第三单元,所述第三单元包括醚,酯,极性基团或酸不稳定部分,其中所述第三单元不同于第一单元和第二单元。

3.权利要求1的聚合物,进一步包括由酸不稳定烷基或烷氧基(甲基)丙烯酸酯单体形成的第三单元。

4.一种光致抗蚀剂组合物,所述组合物包括:

一种聚合物,所述聚合物包括由下面通式(I)的单体形成的第一单元:

其中:L代表单键或C1到C10的有机基团;R1代表氢或C1到C3的烷基基团;R2各自独立的代表氢原子或C1到C10的有机基团;R3各自独立的代表氢原子或C1到C10的有机基团,那些连接到同一个碳原子的R3任选的一起形成环;和R4各自独立的代表C1到C10的有机基团,那些连接到同一个碳原子的R4任选的一起形成环;和

一种光致酸发生剂。

5.权利要求4的光致抗蚀剂组合物,其中所述聚合物进一步包括包含内酯部分的第二单元。

6.权利要求5的光致抗蚀剂组合物,其中所述聚合物进一步包括第三单元,所述第三单元包含醚,酯,极性基团或酸不稳定部分,其中所述第三单元不同于第一单元和第二单元。

7.权利要求5的光致抗蚀剂组合物,其中所述聚合物进一步包括由酸不稳定烷基或烷氧基(甲基)丙烯酸酯单体形成的单元。

8.一种涂覆的基底,所述涂覆的基底包括基底和在所述基底表面上的权利要求4到7任一项的光致抗蚀剂组合物的层。

9.一种形成光刻图案的方法,所述包括:

(a)提供基底,所述基底包括在基底表面上的一个或多个的要被图案化的层;

(b)将权利要求4到7任一项的光致抗蚀剂组合物的层施加到一个或多个的要被图案化的层上;

(c)将所述光致抗蚀剂组合物层于活性辐射中图案化曝光;

(d)在曝光后烘烤工艺中加热曝光的光致抗蚀剂组合物层;和

(e)将显影剂施加到所述光致抗蚀剂组合物层以移除光致抗蚀剂层的一部分,从而形成光致刻蚀图案。

10.权利要求9的方法,其中光致抗蚀剂层的未曝光区域通过显影剂移除以形成所述光致刻蚀图案。

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