[发明专利]半导体封装件和用于在半导体封装件中选择芯片的方法

权利要求书

1.一种半导体封装件，包括：

第一半导体芯片，形成有第一贯穿硅通路；

第二半导体芯片，堆叠在所述第一半导体芯片上方且形成有第二贯穿硅通路；以及

悬臂，形成在所述第一半导体芯片上方且根据电信号而电连接至所述第一贯穿硅通路或所述第二贯穿硅通路。

2.根据权利要求1的半导体封装件，进一步包括：

带电体，形成在所述第一半导体芯片上方与所述第一贯穿硅通路分离的位置，以使所述悬臂变形。

3.根据权利要求1的半导体封装件，其中所述悬臂包括：

第一突出部分，在与所述第一贯穿硅通路分离的位置从所述第一半导体芯片向上突出；以及

延伸部分，从所述第一突出部分向所述第二贯穿硅通路水平延伸。

4.根据权利要求3的半导体封装件，其中所述悬臂进一步包括：

第二突出部分，从所述延伸部分向所述第二贯穿硅通路突出。

5.根据权利要求1的半导体封装件，进一步包括：

锚固件，设置在所述悬臂下方以将所述悬臂固定至所述第一半导体芯片。

6.根据权利要求1的半导体封装件，其中，所述悬臂包括从金、银、铜、铝、镍、钨、钛、铂、钯、锡、铅、锌、铟、镉、铬和钼构成的组中选择的材料。

7.根据权利要求1的半导体封装件，其中所述第一半导体芯片包括芯片选择布线，以施加所述电信号至所述悬臂。

8.根据权利要求7的半导体封装件，进一步包括：

开关元件，形成在所述芯片选择布线上方以控制是否使所述悬臂变形。

9.根据权利要求8的半导体封装件，其中，所述开关元件包括传输门。

10.根据权利要求8的半导体封装件，进一步包括：

反相器，设置在所述芯片选择布线上。

11.根据权利要求1的半导体封装件，进一步包括：

密封剂，密封所述悬臂的周围。

12.根据权利要求11的半导体封装件，其中，所述密封剂选自由环氧树脂、酚醛树脂、丙烯树脂和异氰酸酯树脂构成的组。

13.根据权利要求11的半导体封装件，进一步包括：

填充物，填充由所述密封剂限定的区域。

14.根据权利要求13的半导体封装件，其中，所述填充物包括液相环氧树脂或硅油。

15.根据权利要求1的半导体封装件，进一步包括：

液体顶，涂覆在所述悬臂上。

16.根据权利要求15的半导体封装件，其中，所述液体顶包括液相环氧树脂或硅油。

17.根据权利要求1的半导体封装件，进一步包括：

模塑组件，配置为模塑所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片。

18.根据权利要求1的半导体封装件，其中，所述悬臂包括延伸部分，所述延伸部分从与所述第一贯穿硅通路分离的位置向所述第一贯穿硅通路或所述第二贯穿硅通路延伸，所述第一贯穿硅通路设置在所述延伸部分的下方，并且所述半导体封装件进一步包括带电体，所述带电体设置在所述延伸部分的端部的下方且被用作下拉电极。

19.根据权利要求18的半导体封装件，进一步包括：

导电突起，形成在所述第一贯穿硅通路上方。

20.一种用于在半导体封装件中选择第一和第二半导体芯片之一的方法，所述半导体封装件包括多个半导体芯片，所述方法包括：

施加电信号至悬臂以使所述悬臂变形，从而使所述悬臂电连接包括在所述第一半导体芯片中的第一贯穿硅通路或包括在所述第二半导体芯片中的第二贯穿硅通路之一。

21.根据权利要求20的方法，进一步包括：

在所述第一半导体芯片中形成所述第一贯穿硅通路，并且在所述第一半导体芯片上方形成与所述第一贯穿硅通路分离的带电体；

形成设置在所述第一贯穿硅通路上方的所述悬臂；以及

堆叠形成有所述第二贯穿硅通路的所述第二半导体芯片，使得所述第二贯穿硅通路设置在对应于所述第一贯穿硅通路的位置。