[发明专利]喷嘴设备和化学气相沉积反应器

权利要求书

1.在CVD反应器内使用的喷嘴设备，包括：

喷嘴本体，该喷嘴本体具有入口、出口和位于入口和出口之间的流动空间；

至少一个控制单元，该至少一个控制单元具有控制部分和设定部分，其中，控制部分以可运动的方式配置在流动空间内，且控制部分限定了流动空间内的流动横截面，流动横截面足够小，以在气体流经喷嘴体时于控制部分处产生压力损失，该压力损失在流动空间内朝向出口偏置控制部分，其中，设定部分可与控制部分一起运动且包含这样一个部分：它随设定部分的运动而改变出口的流动横截面；以及

至少一个偏置元件，该偏置元件在流动空间内向远离出口的方向偏置控制部分。

2.根据权利要求1所述的喷嘴设备，其特征在于，控制部分形成为多孔板或者包括多孔板部分；

3.根据权利要求1或2所述的喷嘴设备，其特征在于，设定部分形成为使出口处的流动横截面随控制部分朝向出口的运动而增大且在相反方向的运动中减小；

4.根据前述任意一个权利要求所述的喷嘴设备，其特征在于，设定部分形成为通过该设定部分的运动改变出口的流动角。

5.根据权利要求4所述的喷嘴设备，其特征在于，设定部分被设计成随控制部分朝向出口的运动而减小流动角，而在沿相反方向的运动中增大流动角。

6.根据前述任意一个权利要求所述的喷嘴设备，其特征在于，控制部分和/或设定部分的运动以平滑的方式由喷嘴本体引导。

7.根据权利要求6所述的喷嘴设备，其特征在于，形成引导的元件中的至少一个具有由PTFE制成的表面。

8.根据前述任意一个权利要求所述的喷嘴设备，其特征在于，喷嘴本体具有出口部分和至少一个导流元件，导流元件至少部分地固定安装于出口部分内，其中，设定部分包含管状部分，管状部分至少部分地被布置在所述出口部分内，并且围绕至少一个导流元件。

9.根据前述任意一个权利要求所述的喷嘴设备，其特征在于，由控制部分所限定的流动横截面要小于入口的流动横截面。

10.具有限定出工艺空间的工艺室的CVD反应器，所述工艺室具有底壁，所述底壁包括至少一个通孔，根据前述任意一个权利要求所述的喷嘴设备至少部分地被接纳在通孔内。

11.根据权利要求10所述的CVD反应器，其特征在于，喷嘴设备基本上全部布置在通孔内。

12.根据权利要求10所述的CVD反应器，其特征在于，通孔是阶梯式的，使得通孔具有直接邻接工艺空间的第一部分，该第一部分的直径比与它直接邻接的第二部分直径大，其中，喷嘴设备的主要部分被接纳在通孔的第一部分内。

13.根据权利要求11所述的CVD反应器，其特征在于，面向轴向的肩部形成于通孔的第一部分和第二部分之间，并且喷嘴设备以密闭的方式靠着所述肩部而布置。

14.根据权利要求10-12中任意一个权利要求所述的CVD反应器，其特征在于，工艺室包含用来冷却其底壁的冷却设备，而所述喷嘴设备以热传导的关系安装于底壁上。