[发明专利]具改进的稳定性的磁性元件

权利要求书

1.一种装置，包括：

磁性响应堆叠，具有第一展布范围并包括位于第一和第二铁磁自由层之间的间隔层；以及

至少一个反铁磁(AFM)片，在第一自由层与间隔层相反的表面上与第一自由层相耦接，该AFM片具有小于第一展布范围的第二展布范围。

2.权利要求1的装置，进一步包括第一和第二电极层，其分别与磁性响应堆叠的相对向的面相耦接。

3.权利要求1的装置，进一步包括第二AFM片，在第二自由层与间隔层相反的表面上与第二自由层相耦接。

4.权利要求1的装置，进一步包括至少一个磁性屏蔽，其与所述堆叠的选中侧面相耦接。

5.权利要求4的装置，其中所述至少一个磁性屏蔽具有降低厚度的区域，其容纳所述AFM片的一部分。

6.权利要求4的装置，其中绝缘层布置在所述AFM片和所述磁性屏蔽之间。

7.权利要求1的装置，其中所述AFM片以离邻近所述堆叠的第一端的气垫面的偏移距离接触第一自由层。

8.权利要求2的装置，其中所述AFM片和第一电极层共面且均在不同位置与第一铁磁自由层耦接。

9.权利要求1的装置，其中第一和第二自由层均是多层结构。

10.权利要求1的装置，其中第一金属插入层位于Co_xFe_1-x层和Ni_xFe_1-x层之间，以及第二金属插入层位于Ni_xFe_1-x层和(Co_xFe_1-x)_yB_1-y层之间。

11.权利要求11的装置，其中合成反铁磁位于每个自由层和AFM片之间。

12.权利要求11装置，特征为数据传感头中的读取传感器。

13.一种装置，包括：

磁性响应堆叠，具有第一展布范围并包括位于第一和第二铁磁自由多层结构之间的间隔层，多层结构均包括与所述间隔层耦接的Co_xFe_1-x、与AFM片耦接的(Co_xFe_1-x)_yB_1-y、以及布置在Co_xFe_1-x和(Co_xFe_1-x)_yB_1-y层之间的Ni_xFe_1-x层；以及

至少一个反铁磁(AFM)片，在第一自由层与间隔层相反的表面上与第一自由层耦接，所述AFM片具有小于第一展布范围的第二展布范围。

14.权利要求13的装置，其中多层结构中的至少一个是金属插入层，其稀释自由层的磁矩。

15.权利要求13的装置，特征为非易失性固态存储单元。

16.一种磁性元件，包括：

非磁性隧道阻挡层，布置在具有第一展布范围的第一铁磁自由层和第二铁磁自由层之间；以及

至少一个反铁磁(AFM)片，在第一或第二自由层与间隔层相反的表面上与该第一或第二自由层连接，并与第一自由铁磁层的前表面间隔开偏移距离。

17.权利要求16的磁性元件，进一步包括磁体，其位于邻近自由层并面向所述自由层的与气垫面相反的侧面。

18.权利要求16的磁性元件，其中第一和第二绝缘材料与所述AFM片和第二自由铁磁层相耦接。

19.权利要求16的磁性元件，其中所述AFM片具有小于第一展布范围的第二展布范围。

20.权利要求16的磁性元件，其中所述自由铁磁层能够作为非易失性固态存储单元存储磁定向。