[发明专利]不具有测试焊盘的栅极应力测试电路有效
| 申请号: | 201110461952.X | 申请日: | 2011-12-31 |
| 公开(公告)号: | CN103187856A | 公开(公告)日: | 2013-07-03 |
| 发明(设计)人: | 李琳 | 申请(专利权)人: | 意法半导体研发(深圳)有限公司 |
| 主分类号: | H02M1/08 | 分类号: | H02M1/08;G01R31/26 |
| 代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华 |
| 地址: | 518057 广东省深圳市南山*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 具有 测试 栅极 应力 电路 | ||
1.一种高侧驱动电路,包括:
驱动级,具有输入、输出、第一功率端子以及第二功率端子;
晶体管,具有第一功率端子、第二功率端子以及耦合到所述驱动级的所述输出的控制端子;以及
开关,耦合在所述驱动级的所述第二功率端子与所述晶体管的所述第二功率端子之间。
2.根据权利要求1所述的高侧驱动电路,还包括:耦合在所述驱动级的所述第一功率端子与电压源之间的二极管。
3.根据权利要求1所述的高侧驱动电路,其中所述晶体管包括功率MOS晶体管。
4.根据权利要求1所述的高侧驱动电路,其中所述开关由栅极应力控制信号控制。
5.一种操作驱动电路的方法,包括:
提供驱动级,所述驱动级具有输入、输出、第一功率端子以及第二功率端子;
提供晶体管,所述晶体管具有第一功率端子、第二功率端子以及耦合到所述驱动级的所述输出的控制端子;以及
提供开关,所述开关耦合在所述驱动级的所述第二功率端子与所述晶体管的所述第二功率端子之间。
6.根据权利要求5所述的方法,还包括:在正常操作模式中,断开所述开关。
7.根据权利要求5所述的方法,还包括:在测试模式中,闭合所述开关。
8.根据权利要求7所述的方法,还包括:在所述驱动级的所述第一功率端子处执行第一泄漏电流测量。
9.根据权利要求8所述的方法,还包括:对所述晶体管施加应力。
10.根据权利要求9所述的方法,还包括:在所述驱动级的所述第一功率端子处执行第二泄漏电流测量。
11.根据权利要求5所述的方法,还包括:将二极管耦合在所述驱动级的所述第一功率端子与电压源之间。
12.根据权利要求5所述的方法,其中所述晶体管包括功率MOS晶体管。
13.根据权利要求5所述的方法,其中所述开关由栅极应力控制信号控制。
14.根据权利要求5所述的方法,其中所述晶体管还包括并联耦合的二极管。
15.一种分隔式高侧驱动电路,包括:
升压节点、相位节点、电压输入节点、降压节点以及高侧输入节点;
第一驱动级,具有耦合到所述高侧输入节点的输入、输出、耦合到所述升压节点的第一功率端子以及耦合到所述相位节点的第二功率端子;
第二驱动级,具有通过延迟电路耦合到所述高侧输入节点的输入、输出、耦合到所述升压节点的第一功率端子以及耦合到所述相位节点的第二功率端子;
第一晶体管,具有耦合到所述电压输入节点的第一功率端子、耦合到所述降压节点的第二功率端子以及耦合到所述第一驱动级的所述输出的控制端子;
第二晶体管,具有耦合到所述电压输入节点的第一功率端子、耦合到所述降压节点的第二功率端子以及耦合到所述第二驱动级的所述输出的控制端子;以及
开关,耦合在所述相位节点与所述降压节点之间。
16.根据权利要求15所述的分隔式高侧驱动电路,其中所述第一晶体管和所述第二晶体管包括功率MOS晶体管。
17.根据权利要求15所述的分隔式高侧驱动电路,其中所述开关由栅极应力控制信号控制。
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