[发明专利]制造硫化镉层的方法

权利要求书

1.一种用于制造硫化镉层的方法，该方法包括步骤：

提供衬底；

在衬底上设置包含镉的层以形成含镉层；以及

硫化该含镉层以基本将镉转化为硫化镉以形成硫化镉层。

2.权利要求1的方法，其中，衬底包括设置在衬底表面上的透明导电层。

3.权利要求2的方法，其中，衬底进一步包括设置在透明导电层上的高电阻透明(HRT)层。

4.权利要求2的方法，其中，含镉层被沉积在透明导电层上。

5.权利要求1的方法，其中，衬底包括不透明层，所述不透明层包括选自铜、银、铟、镓、铝、锌、锡和硒的一种或多种元素。

6.权利要求5的方法，其中，含镉层被设置在不透明层上。

7.权利要求1的方法，其中硫化含镉层包括将含镉层暴露于含硫氛围。

8.权利要求7的方法，其中，含硫氛围包括选自硫化氢、二硫化碳、六氟化硫、二氯化硫、烷硫醇和硫醚的气体。

9.权利要求7的方法，其中，含镉层的硫化在从约100摄氏度至约1000摄氏度的温度范围内执行。

10.权利要求7的方法，其中，含镉层的硫化执行约2分钟至约5小时的时间段。