[发明专利]一种低张力ITO蚀刻液及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种ITO蚀刻液及其制备方法，尤其涉及一种草酸型低张力ITO蚀刻液及其制备方法。

背景技术

ITO是Indium Tin Oxides的缩写，作为纳米铟锡金属氧化物，具有很好的导电性和透明性，可以切断对人体有害的电子辐射、紫外线及远红外线。因此，铟锡氧化物通常喷涂在玻璃、塑料及电子显示屏上，用作透明导电薄膜，同时减少对人体有害的电子辐射及紫外、红外。

草酸型ITO蚀刻液，本品为无色透明液体，显酸性，该产品主要用于TFT-LCD、LED、OLED等行业用作面板制程中的ITO层的蚀刻剂。目前ITO蚀刻液主要由草酸晶体和纯水为组成，该产品主要存在以下几点缺点：①目前国内厂家使用的草酸型ITO蚀刻液的表面张力在70mN/m左右，对ITO层的浸润性不足，导致蚀刻后存在微晶体残留；②在低于5℃时容易结晶，运输时需要使用保温运输，运输成本高；同时客户在使用时容易致使客户端过滤器堵塞，影响客户设备及使用。因此有必要提供低张力ITO蚀刻液及其制备方法，避免原有技术造成的蚀刻不干净，不能在低温下储存的缺点。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种低张力ITO蚀刻液及其制备方法，表面张力低，结晶温度低，避免了原有技术造成的蚀刻不干净，不能在低温下储存的缺点。

本发明为解决上述技术问题而采用的技术方案是提供一种低张力ITO蚀刻液，包括以下重量百分比的组合物：

草酸      3.2％～3.6％；

正己酸    0.1％～0.2％；

水        96.2％～96.6％。

上述的低张力ITO蚀刻液，其中，所述蚀刻液中加入的草酸为纯度大于99.6％(重量百分比)的草酸晶体。

上述的低张力ITO蚀刻液，其中，所述蚀刻液中加入的正己酸为浓度大于99％(重量百分比)的正己酸。

本发明为解决上述技术问题还提供一种低张力ITO蚀刻液的制备方法，包括如下步骤：

先加入草酸晶体和一半水到反应釜中，充分搅拌10～30分钟；

然后加入正己酸并加满水，其中，草酸的重量百分比为3.2％～3.6％，正己酸的重量百分比为0.1％～0.2％，再搅拌15～30分钟；

最后将制得的混合物经0.5μm的过滤器过滤，以去除混合物中粒径大于0.5μm的有害粒子，制得草酸型低张力ITO蚀刻液。

本发明对比现有技术有如下的有益效果：本发明提供的低张力ITO蚀刻液及其制备方法，通过在原有工艺的基础上新加入了添加剂正己酸，能有效降低ITO蚀刻液的表面张力，使其能够产生渗透，浸润的作用，提高草酸的蚀刻效果，使其在不影响产品质量的前提下提高产品的蚀刻效果，并使产品能在较低的环境温度下保存，避免了原有技术造成的蚀刻不干净，不能在低温下储存的缺点，本方法能适用于大规模生产。

具体实施方式

下面通过实施例进一步描述本发明，但不限于所举的实施例。

选用纯度为99.6重量％的草酸晶体，优等品，吴江市黎里东阳助剂厂生产，其指标如表1：

表1

选用浓度为99重量％的正己酸，优等品，邯郸市科正化工有限公司生产，其指标如表2：

表2

例1、称取草酸晶体3.4kg，在搅拌下加入装有50kg水的反应釜中，充分搅拌均匀15分钟，加入正己酸0.12kg，加水至100kg，搅拌20分钟后，将制得的混合物经0.5μm的过滤器过滤，以去除混合物中粒径大于0.5μm的有害粒子，即得草酸型低张力ITO蚀刻液，其表面张力低为52，结晶温度为1℃。

例2、称取草酸晶体3.4kg，在搅拌下加入装有50kg水的反应釜中，充分搅拌均匀15分钟，加入正己酸0.15kg，加水至100kg，搅拌20分钟后，将制得的混合物经0.5μm的过滤器过滤，以去除混合物中粒径大于0.5μm的有害粒子，即得草酸型低张力ITO蚀刻液，其表面张力低为51，结晶温度为0℃。

例3、称取草酸晶体3.4kg，在搅拌下加入装有50kg水的反应釜中，充分搅拌均匀15分钟，加入正己酸0.17kg，加水至100kg，搅拌20分钟后，将制得的混合物经0.5μm的过滤器过滤，以去除混合物中粒径大于0.5μm的有害粒子，即得草酸型低张力ITO蚀刻液，其表面张力低为50，结晶温度为-1℃。