[发明专利]有机发光显示器件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201110461282.1 申请日: 2011-12-30
公开(公告)号: CN102738195A 公开(公告)日: 2012-10-17
发明(设计)人: 崔熙东;高三民 申请(专利权)人: 乐金显示有限公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32;H01L21/77
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 徐金国;谢雪闽
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 有机 发光 显示 器件 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种有机发光显示器件,包括有机发光显示面板和用来驱动所述有机发光显示面板的数据线的数据驱动器,其中所述有机发光显示面板包括:

有源区,包括用来呈现图像的像素驱动TFT,和分别与所述像素驱动TFT连接来发光的有机发光元件;

GIP区,包括形成有多个栅极驱动TFT的栅极驱动器,所述栅极驱动TFT用于分别驱动所述有源区的栅极线;

GND区,形成在所述GIP区和所述有源区之间,形成有用来向所述有源区的有机发光元件提供基础电压的基础电压线;和

密封剂区,形成有用来粘合上基板与下基板的密封剂,

其中所述GND区包括渗气阻挡孔,所述渗气阻挡孔用来阻挡从所述密封剂和至少一个形成在所述GIP区上的保护膜中发生的渗气。

2.根据权利要求1的有机发光显示器件,其中所述GIP区邻近所述密封剂区形成。

3.根据权利要求1的有机发光显示器件,其中每个所述有机发光元件包括:

阳极,与每个像素驱动TFT的漏电极连接;

堤绝缘膜,形成有用来暴露阳极的堤孔;

柱间隔物,形成在所述堤绝缘膜上,以保持单元间隙;和

有机层,形成在通过所述堤孔暴露的所述阳极上,以及形成在有机层上的阴极。

4.根据权利要求3的有机发光显示器件,其中:

每个形成在所述有源区上的像素驱动TFT形成有:由无机绝缘材料制成的第一保护膜,在所述第一保护膜上由有机绝缘材料制成的第二保护膜,和形成在所述第二保护膜上的堤绝缘膜;和

每个形成在所述GIP区上的栅极驱动TFT形成有:由无机绝缘材料制成的第一保护膜,和形成在所述第一保护膜上的堤绝缘膜。

5.根据权利要求4的有机发光显示器件,其中所述渗气阻挡孔由以下组成:

第一接触孔,在形成于每个像素驱动TFT上的第一保护膜和形成于每个栅极驱动TFT上的第一保护膜之间形成;

第二接触孔,在形成于像素驱动TFT上的第二保护膜和形成于栅极驱动TFT上的第一保护膜之间形成;以及

第三接触孔,在形成于像素驱动TFT上的堤绝缘膜和形成于栅极驱动TFT上的堤绝缘膜之间形成。

6.根据权利要求3的有机发光显示器件,其中:

每个形成在所述有源区上的像素驱动TFT形成有:由无机绝缘材料制成的第一保护膜,在所述第一保护膜上由有机绝缘材料制成的第二保护膜,和形成在所述第二保护膜上的堤绝缘膜;和

每个形成在所述GIP区上的栅极驱动TFT形成有:由无机绝缘材料制成的第一保护膜,在所述第一保护膜上由有机绝缘材料制成的第二保护膜,和形成在所述第二保护膜上的堤绝缘膜。

7.根据权利要求6的有机发光显示器件,其中所述渗气阻挡孔由以下组成:

第一接触孔,在形成于每个像素驱动TFT上的第一保护膜和形成于每个栅极驱动TFT上的第一保护膜之间形成;

第二接触孔,在形成于像素驱动TFT上的第二保护膜和形成于栅极驱动TFT上的第二保护膜之间形成;以及

第三接触孔,在形成于像素驱动TFT上的堤绝缘膜和形成于栅极驱动TFT上的堤绝缘膜之间形成。

8.根据权利要求4的有机发光显示器件,其中所述第一保护膜由无机绝缘材料制成,所述第二保护膜和所述堤绝缘膜的每一个都由有机绝缘材料制成,所述第二保护膜由光丙烯酸材料制成,所述堤绝缘膜由聚酰亚胺材料制成。

9.根据权利要求3的有机发光显示器件,其中:

形成在所述有源区上的每个像素驱动TFT形成有:由有机绝缘材料制成的保护膜,和形成在所述保护膜上的堤绝缘膜;和

形成在所述GIP区上的每个栅极驱动TFT形成有堤绝缘膜。

10.根据权利要求9的有机发光显示器件,其中所述渗气阻挡孔由以下组成:

第一接触孔,在形成于每个像素驱动TFT上的保护膜和形成于每个栅极驱动TFT上的堤绝缘膜之间形成;和

第二接触孔,在形成于像素驱动TFT上的堤绝缘膜和形成于栅极驱动TFT上的堤绝缘膜之间形成。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于乐金显示有限公司,未经乐金显示有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110461282.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top