[发明专利]透明导电膜及其形成方法

权利要求书

1.一种透明导电膜，包括：

一基材；以及

一导电复材，位于该基材上，所述导电复材包括：

一导电碳材；以及

一表面改性有拉电子基的非碳无机物，

其中该导电碳材是与该表面改性有拉电子基的非碳无机物接触，形成该导电复材。

2.如权利要求1所述的透明导电膜，其中该导电碳材与该表面改性有拉电子基的非碳无机物是以分层或混掺的结构，形成该导电复材。

3.如权利要求1所述的透明导电膜，其中该导电碳材与该表面改性有拉电子基的非碳无机物为交错排列的多层结构，形成该导电复材。

4.如权利要求1所述的透明导电膜，其中该导电碳材为纳米碳管、石墨烯、氧化石墨烯、石墨烯纳米带、或上述的组合。

5.如权利要求1所述的透明导电膜，其中该表面改性有拉电子基的非碳无机物的形状为粒状、片状、网状、膜状、或上述的组合。

6.如权利要求1所述的透明导电膜，其中该表面改性有拉电子基的非碳无机物为表面改性有拉电子基的硅、锡、钛、锌、铝、锆、铟、锑、钨、钇、镁、或铈的氧化物、硅酸盐、氢氧化物、碳酸盐、硫酸盐、磷酸盐、硫化物、或上述的组合。

7.如权利要求1所述的透明导电膜，其中该表面改性有拉电子基的非碳无机物是一具有拉电子基的硅烷接枝至非碳无机物，该具有拉电子基的硅烷是X-Si(R₁)(R₂)(R₃)，X为拉电子基团或含有拉电子基团的分子链，R₁、R₂及R₃三者中至少一者为卤素或-OR，R为C₁-C₄的烷基，其中该拉电子基团是-NO₂、-CN、-COCH₃、-SO₃H、-SO₂CH₃、-F、-Cl、-Br、或上述的组合。

8.如权利要求7所述的透明导电膜，其中该具有拉电子基的硅烷是三氟丙烷三甲氧基硅烷、氯甲基三甲氧基硅烷、或二硝基苯基胺基三乙氧基丙基硅烷。

9.如权利要求1所述的透明导电膜，其中该导电碳材与该表面改性有拉电子基的非碳无机物是以混掺的结构，形成该导电复材，且该导电碳材与该表面改性有拉电子基的非碳无机物的重量比介于1∶3至1∶5之间。

10.一种透明导电膜的形成方法，包括：

提供一基材；以及

形成一导电复材于该基材上，该导电复材包括：

一导电碳材；以及

一表面改性有拉电子基的非碳无机物，且该导电碳材与该表面改性有拉电子基的非碳无机物接触。

11.如权利要求10所述的透明导电膜的形成方法，其中该导电碳材与该表面改性有拉电子基的非碳无机物是以分层或混掺的结构，形成该导电复材。

12.如权利要求10所述的透明导电膜的形成方法，其中该表面改性有拉电子基的非碳无机物的形成步骤包括将具有拉电子基的硅烷与非碳无机物于气相或液相进行水解-缩合或取代反应。

13.如权利要求10所述的透明导电膜的形成方法，其中该导电碳材与该表面改性有拉电子基的非碳无机物为交错排列的多层结构，形成该导电复材。

14.如权利要求10所述的透明导电膜的形成方法，其中该表面改性有拉电子基的非碳无机物为表面改性有拉电子基的硅、锡、钛、锌、铝、锆、铟、锑、钨、钇、镁、或铈的氧化物、硅酸盐、氢氧化物、碳酸盐、硫酸盐、磷酸盐、硫化物、或上述的组合。