[发明专利]基于碲化镉的光伏模块的制造中的薄膜层的一体化淀积

权利要求书

1.一种用于碲化镉薄膜光伏装置(10)的形成中的半导体层的薄膜淀积的设备(100)，所述设备(100)包括：

连接到装载真空泵(108)上的装载真空室(106)，所述装载真空泵(108)构造成将所述装载真空室(106)内的压力降低到初始装载压力；

溅射淀积室(112)；

气相淀积室(128)；以及，

传送器系统(104)，其可操作地设置在所述设备(100)内，并且构造成按串行布置以受控的速度将衬底(10)输送进入且输送通过所述装载真空室(106)，输送进入且输送通过所述溅射淀积室(112)，以及输送进入且输送通过所述气相淀积室(128)，

其中，所述溅射淀积室(112)和所述气相淀积室(128)一体地连接，使得输送通过所述设备(100)的所述衬底(10)保持在小于760托的系统压力处。

2.根据权利要求1所述的设备(100)，其特征在于，所述溅射淀积室(112)包括定位在传送器系统(104)上方的靶(114)，其中，所述靶(114)连接到功率源(116)上，使得能够在所述靶(114)和所述衬底(10)之间产生等离子体(118)，以使第一薄膜淀积在所述衬底(10)上。

3.根据权利要求1或2所述的设备(100)，其特征在于，所述气相淀积室(128)包括：用于保持源材料(132)的容器(130)；加热歧管(134)，其用于加热所述容器(130)，使得所述源材料(132)蒸发成源蒸气；以及限定孔的淀积板(136)，所述源蒸气穿过所述孔而使第二薄膜淀积到所述衬底(10)上的所述第一薄膜上面。

4.根据前述权利要求中的任一项所述的设备(100)，其特征在于，所述设备(100)进一步包括：

定位在所述溅射淀积室(112)和所述气相淀积室(128)之间的真空缓冲室(120)，其中，所述真空缓冲室(120)连接到缓冲真空泵(122)上，所述缓冲真空泵(122)构造成移除离开所述溅射淀积室(112)的所述衬底(10)上的多余材料。

5.根据权利要求4所述的设备(100)，其特征在于，所述真空缓冲室(120)进一步包括构造成将所述衬底(10)加热到气相淀积温度的加热器(126)。

6.根据权利要求4或5所述的设备(100)，其特征在于，所述真空缓冲室(120)进一步包括构造成将惰性气体提供到所述气相淀积温度的回填气体端口。

7.根据权利要求4至6中的任一项所述的设备(100)，其特征在于，所述设备(100)进一步包括：

定位在所述溅射淀积室(112)和所述气相淀积室(128)之间的加热室(124)，其中，所述加热室(124)构造成将所述衬底加热到气相淀积温度。

8.根据权利要求4至7中的任一项所述的设备(100)，其特征在于，所述设备(100)进一步包括：

定位在所述真空缓冲室(120)和所述气相淀积室(128)之间的第二溅射室(214)；以及，

定位在所述第二溅射室(214)和所述气相淀积室(128)之间的第二真空缓冲室(222)，其中，所述第二真空缓冲室(222)连接到第二缓冲真空泵(224)上，所述第二缓冲真空泵(224)构造成控制所述第二真空缓冲室(222)内的压力，

其中，所述溅射淀积室(112)、所述真空缓冲室(120)、所述第二溅射室(214)、所述第二真空缓冲室(222)和所述气相淀积室(128)一体地连接，使得输送通过所述设备(100)的所述衬底(10)保持在所述系统压力处。