[发明专利]晶体硅太阳电池制绒方法

权利要求书

1.一种晶体硅太阳电池制绒方法，其特征是：在硅片表面制作掩膜，然后在掩膜上开的掩膜窗口，再通过磁场定向作用的电化学腐蚀方法腐蚀出绒面结构，电化学腐蚀液由DMF、HF和H2O组成，其比例范围100DMF∶10HF∶15H2O至100DMF∶5HF∶5H2O。

2.根据权利要求1所述的晶体硅太阳电池制绒方法，其特征是：具有如下制备步骤：a.将硅片表面清洗抛光；b.在硅片表面沉积一层氮化硅薄膜；c.丝网印刷一层腐蚀性浆料在氮化硅薄膜表面，得到所定义的掩膜图形；d.对硅片进行电化学腐蚀。

3.根据权利要求1所述的晶体硅太阳电池制绒方法，其特征是：有如下制备步骤：a.将硅片表面清洗抛光；b.在硅片表面沉积一层氮化硅薄膜；c.在硅片表面沉积一层氧化硅薄膜，光刻后得到掩膜图形；d.采用浓磷酸腐蚀出掩膜图形后进行RCA清洗；e.对硅片进行电化学腐蚀。

4.根据权利要求1或2或者3所述的晶体硅太阳电池制绒方法，其特征是：电化学腐蚀电流密度为0.01～100mA/cm2。

5.根据权利要求1或2或者3所述的晶体硅太阳电池制绒方法，其特征是：磁场强度5-500mT。

6.根据权利要求1或2或者3所述的晶体硅太阳电池制绒方法，其特征是：磁场线初始方向垂直于电流方向，受形貌调整要求在垂直与平行方向之间做调整。