[发明专利]光声图像装置、光声感测结构及提取光声图像的方法无效
申请号: | 201110459101.1 | 申请日: | 2011-12-23 |
公开(公告)号: | CN103134755A | 公开(公告)日: | 2013-06-05 |
发明(设计)人: | 罗时斌;邱德义;陈秀香;田万顶 | 申请(专利权)人: | 财团法人工业技术研究院 |
主分类号: | G01N21/17 | 分类号: | G01N21/17 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 宋焰琴 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像 装置 光声感测 结构 提取 方法 | ||
1.一种光声图像装置,其特征在于,适合于侦测待测物的光声图像,所述光声图像装置包括:
电磁波源,适合于发出电磁波;
第一电磁波可穿透衬底,配置于所述电磁波的传递路径上;
多个电磁波传递针,配置于所述第一电磁波可穿透衬底上,且适合于插置于所述待测物中,其中所述电磁波经由所述第一电磁波可穿透衬底而传递到至少部分的所述多个电磁波传递针,且所述电磁波经由至少部分的所述多个电磁波传递针传递至所述待测物的内部;以及
超声波感测元件,配置于所述待测物的一侧,其中所述待测物的内部受到所述电磁波作用后产生超声波,且所述超声波感测元件用于侦测所述超声波。
2.根据权利要求1所述的光声图像装置,其特征在于,所述第一电磁波可穿透衬底包括第一表面及电磁波入射面,所述多个电磁波传递针配置于所述第一表面上,所述电磁波经由所述电磁波入射面进入所述第一电磁波可穿透衬底中,且所述电磁波经由所述第一电磁波可穿透衬底的导引而分散地经由所述第一表面传递至所述多个电磁波传递针中。
3.根据权利要求1所述的光声图像装置,其特征在于,还包括电磁波传递元件,用于将来自所述电磁波源的所述电磁波传递至所述第一电磁波可穿透衬底。
4.根据权利要求3所述的光声图像装置,其特征在于,所述电磁波传递元件为光纤束。
5.根据权利要求3所述的光声图像装置,其特征在于,所述电磁波传递元件具有电磁波出射面,所述超声波感测元件配置于所述电磁波出射面上,所述超声波感测元件适合于被所述电磁波穿透,且在所述电磁波传递元件中传递的所述电磁波依次穿透所述电磁波出射面以及所述超声波感测元件而传递至所述第一电磁波可穿透衬底。
6.根据权利要求3所述的光声图像装置,其特征在于,所述超声波感测元件环绕所述电磁波传递元件。
7.根据权利要求3所述的光声图像装置,其特征在于,所述电磁波传递元件环绕所述超声波感测元件。
8.根据权利要求1所述的光声图像装置,其特征在于,所述第一电磁波可穿透衬底具有相对的第一表面与第二表面,所述多个电磁波传递针配置于所述第一表面上,所述超声波感测元件配置于所述第一表面或所述第二表面上,所述超声波感测元件适合于被所述电磁波穿透,且所述电磁波穿过所述超声波感测元件传递至所述待测物的内部。
9.根据权利要求8所述的光声图像装置,其特征在于,所述电磁波源为多个电磁波源发射元件,而所述多个电磁波源发射元件呈阵列地排列于所述第一电磁波可穿透衬底上。
10.根据权利要求8所述的光声图像装置,其特征在于,所述超声波感测元件位于所述多个电磁波源发射元件与所述第一电磁波可穿透衬底之间。
11.根据权利要求8所述的光声图像装置,其特征在于,还包括第二电磁波可穿透衬底,所述电磁波源配置于所述第二电磁波可穿透衬底上,其中所述第二电磁波可穿透衬底装设于所述第一电磁波可穿透衬底上,且所述第二电磁波可穿透衬底位于所述电磁波源与所述第一电磁波可穿透衬底之间。
12.根据权利要求11所述的光声图像装置,其特征在于,所述电磁波源为多个电磁波源发射元件,而所述多个电磁波源发射元件阵列排列于所述第二电磁波可穿透衬底上。
13.根据权利要求1所述的光声图像装置,其特征在于,所述超声波感测元件包括多个超声波感测单元,每一所述超声波感测单元包括:
电磁波可穿透衬底;
第一电磁波可穿透电极,配置于所述电磁波可穿透衬底上;
电磁波可穿透绝缘层,配置于所述第一电磁波可穿透电极上;
图案化电磁波可穿透支撑结构,配置于所述电磁波可穿透绝缘层上;
电磁波可穿透薄膜,配置于所述图案化电磁波可穿透支撑结构上,其中所述电磁波可穿透绝缘层、所述图案化电磁波可穿透支撑结构及所述电磁波可穿透薄膜之间形成至少一空腔;以及
第二电磁波可穿透电极,配置于所述电磁波可穿透薄膜上。
14.根据权利要求13所述的光声图像装置,其特征在于,所述电磁波可穿透薄膜与所述图案化电磁波可穿透支撑结构的材质包括高分子材料、硅、石英、氮化硅、三氧化二铝及单晶材料的至少其中之一。
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