[发明专利]一种高温真空充氮循环烧冶的杂铜回收工艺无效

专利信息
申请号: 201110458683.1 申请日: 2011-12-31
公开(公告)号: CN102534221A 公开(公告)日: 2012-07-04
发明(设计)人: 阙龙翔;阙南平 申请(专利权)人: 阙龙翔
主分类号: C22B7/00 分类号: C22B7/00;C22B15/00
代理公司: 北京中恒高博知识产权代理有限公司 11249 代理人: 夏晏平
地址: 244000 安徽*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 高温 真空 循环 回收 工艺
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种杂铜回收工艺,属于废旧金属回收技术领域。

背景技术

中国是缺铜国,废旧金属回收杂铜再生利用,占铜生产比重日益增加,分拣、预处理是废旧金属利用的核心技术。杂铜如铜漆包线、镀锡铜等含有其他金属及氧化物杂质,若直接用于加工则影响产品质量,如漆包线的阻燃剂三氧化二锑会严重影响加工拉伸性能,镀锡铜锡这一杂质成分影响品级。国内外尚无积极处理办法,一般采取直接火烧办法,烧漆包线烧损率高,造成铜金属损失,特别细发状漆包线烧损大于20-30%。而且火烧造成环境较大污染。为此,漆包线市场扣损率都在9-30%。火烧铜的品位也在85-92%。镀锡铜市场上也必须扣除品级。目前不少冶炼厂都把锑、锡、铅当作主要有害杂质严格控制入炉量,在常规铜冶炼过程中是很难脱除。国内外漆包线、镀锡铜价廉量多,来源十分广,仅宁波、台州每年就有100万吨以上,可见,废铜回收的市场前景十分广阔。

发明内容

本发明要解决的技术问题是克服现有漆包线、镀锡铜等废铜回收的铜损失大、品位低、成本高的缺陷,提供了一种操作简便,回收率高,产品质量好的杂铜回收工艺。

为了解决上述技术问题,本发明提供了如下的技术方案:

在密闭耐高温容器中,加入杂铜,再依次密封、抽真空、充氮气,在维持惰性气体气氛下,加热至900-1000摄氏度,维持20-30分钟至生产出光亮铜,再冷却至温度小于40摄氏度即可。惰性气体气氛可有效阻止铜发生氧化作用,而高温加热一方面可使杂质金属、有机物等与基体金属分离,另外,还可以确保物料燃烧过程的二恶英分解破坏。

进一步地,所述加热的炉体为焦炭炉、天然气喷嘴燃气炉或电炉。

冷却时间为5-30分钟;温度在300摄氏度以上时,需维持惰性气体气氛,避免铜被氧化;高降温速率可防止分解破坏的二恶英再合成。

所述密闭耐高温容器为不锈钢材质,如GB309。

所述杂铜是指从废旧五金回收来的含有有机物和其他金属杂质的铜原料,如漆包线、镀焊锡铜材料、镀焊铅铜材料等。

所述惰性气体是指氦气、氮气或氩气,从经济角度考虑,一般采用氮气。利用惰性气体加热后自循环加速加热、传热过程,保证密闭容器内物料充分均匀受热,还可以避免铜被氧化。

经本发明工艺回收后,漆包线烧冶出光亮铜线和炭黑,镀锡铜烧冶出光亮铜和金属锡,铜管烧冶出无铅或无锡铜管和金属铅或锡。本工艺可使基体金属与杂质金属分离,实现了杂铜处理工艺的大突破,不但去除杂质金属(铅、锡、锑)对铜冶炼、铜加工的影响,而且变废为宝,可回收有价金属,事半功倍。

本发明工艺操作过程十分简便易行,烧冶过程温度可控,气氛也可调,保持为还原气氛如氩气、氦气和氮气(必要可加天然气),使金属铜不被氧化,所以金属回收率近100%。采用惰性气体密闭自热循环技术,使原料烧冶过程中传热加速,烧冶迅速完全。最后,冷却时,采用强制、快速冷却工艺,可有效避开二恶因再次生成,无污染。

具体实施方式

以下对本发明的优选实施例进行说明,应当理解,此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本发明,并不用于限定本发明。

实施例1

在密闭耐高温不锈钢容器中,采取如下步骤回收杂铜漆包线:

装入漆包线-密封-抽真空-充入氮气-焦炭炉加热至950摄氏度左右-氮气自热循环25分钟-迅速冷却至小于40摄氏度-打开密闭容器,即生成光亮铜和含阻燃剂三氧化二锑炭黑。

实施例2

在密闭耐高温不锈钢容器中,采取如下步骤回收杂铜镀锡铜线(板)、线接头:

装入镀锡铜线(板)、线接头-密封-抽真空-充入氦气-天然气喷嘴燃气炉加热至900摄氏度左右-氦气自热循环30分钟-在5分钟内冷却至小于40摄氏度-打开密闭容器,即生成光亮铜和金属锡。

实施例3

在密闭耐高温不锈钢容器中,采取如下步骤回收杂铜含铅铜水箱:

装入含铅铜水箱-密封-抽真空-充入氩气-电炉加热至1000摄氏度左右-氩气自热循环20分钟-在30分钟内冷却至小于40摄氏度-打开密闭容器,即生成无铅铜管和金属铅。

最后应说明的是:以上所述仅为本发明的优选实施例而已,并不用于限制本发明,尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明,对于本领域的技术人员来说,其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。

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