[发明专利]一种金锡合金薄膜制备工艺无效
| 申请号： | 201110457880.1 | 申请日： | 2011-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN102560371A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 陈国政;杨丙文;沓世我;王建明;陈明钧;陈鉴波 | 申请（专利权）人： | 广东风华高新科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/18 | 分类号： | C23C14/18;C23C14/30;C23C14/58 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 杨利娟 |
| 地址： | 526020 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 合金 薄膜 制备 工艺 | ||
1.一种金锡合金薄膜制备工艺，利用电子束蒸发镀膜，在氧化铝陶瓷基片或氮化铝陶瓷基片上获得多层Au和Sn的金属层，然后通过共晶热处理得到了金锡合金薄膜，其特征在于：
所述电子束蒸发镀膜过程中，真空度为1.0E-4 Pa～5.0E-3Pa；轰击电流为50～200mA；基底温度为50～250℃；基片转速为15～20r/m；电子束电压为6kV～8kV；蒸发金Au电流为200～300mA；蒸发Sn电流为200～300mA。
2.根据权利要求1所述的金锡合金薄膜制备工艺，其特征在于：所述的Au和Sn的金属层依次是Au层、Sn层、Au层、Sn层、Au层五层结构。
3.根据权利要求2所述的金锡合金薄膜制备工艺，其特征在于：所述共晶热处理的温度是250～330℃，时间为3～10min。
4.根据权利要求1所述的金锡合金薄膜制备工艺，其特征在于：所述的氧化铝陶瓷基片或氮化铝陶瓷基片与金锡合金薄膜之间还设有过渡层的选择为Ti/Mo/Pt/Ag/Cu/Au,所述的Ti/Mo层的厚度为0.05～0.5μm，Pt/Ag的厚度为0.1～0.7μm，Au/Cu的厚度为0.2～0.8μm。
5.根据权利要求4所述的金锡合金薄膜制备工艺，其特征在于：所述的过渡层是用电子束蒸发或电阻蒸发复合镀膜系统进行真空镀膜而得，镀膜时，基片旋转。
6.根据权利要求5所述的金锡合金薄膜制备工艺，其特征在于：真空镀膜过渡层时，其真空度是1.0E-4 Pa～5.0E-3Pa；轰击电流是50～200mA；基底温度是50～250℃；基片转速是15～20r/m；电子束电压是6～8kV；蒸发Ti/Mo电流是200～300mA；蒸发Pt/Ag电流是200～300mA；蒸发Au/Cu电流是50～200mA；所使用的坩埚是Cu坩埚、石墨坩埚。
7.根据权利要求1-6中任意一项所述的金锡合金薄膜制备工艺，其特征在于：所述的金锡合金薄膜总厚度是2～8μm。
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