[发明专利]多栅极场效应晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种多栅极场效应晶体管，包括：

基底，其上形成有层间介质层；

鳍状结构，位于所述层间介质层中，所述鳍状结构包括中间区域和两端区域；

栅极，位于所述层间介质层中，并跨设于所述鳍状结构的中间区域的顶面和侧壁上；

其特征在于，所述鳍状结构包括硅层和硅锗层，所述硅层呈圆锥状或圆台状，所述硅锗层包裹于所述硅层上，所述硅层和硅锗层中形成有沟道区。

2.如权利要求1所述的多栅极场效应晶体管，其特征在于，所述圆锥状或圆台体的硅层的母线与所述基底所在面的夹角为0～75°。

3.如权利要求1所述的多栅极场效应晶体管，其特征在于，所述硅锗层中锗的摩尔含量为5％～35％。

4.如权利要求1所述的多栅极场效应晶体管，其特征在于，所述栅极为多晶硅栅极或金属栅极。

5.如权利要求1所述的多栅极场效应晶体管，其特征在于，所述栅极包括栅极介质层和位于所述栅极介质层上的栅极导电层。

6.如权利要求1所述的多栅极场效应晶体管，其特征在于，所述鳍状结构的两端区域中形成有源区和漏区。

7.如权利要求1所述的多栅极场效应晶体管，其特征在于，所述基底包括半导体层和位于所述半导体层上的氧化层。

8.一种多栅极场效应晶体管的制作方法，包括

提供基底，在所述基底上形成单质硅材质的初始鳍状结构，所述初始鳍状结构包括中间区域和两端区域；

形成前置栅极，所述前置栅极横跨于鳍状结构的中间区域的侧壁和顶面上；

在基底上覆盖层间介质层，并进行化学机械研磨，直至暴露所述前置栅极的顶面；

刻蚀去除所述前置栅极，暴露所述初始鳍状结构的中间区域；

对所述初始鳍状结构的中间区域进行倾斜旋转离子注入，使所述初始鳍状结构的中间区域分为掺杂区和无掺杂区，所述无掺杂区呈圆锥状或圆台状；

对所述初始鳍状结构的中间区域进行干法刻蚀，去除所述初始鳍状结构的中间区域中的掺杂区，所述无掺杂区形成圆锥状或圆台状的硅层；

利用外延生长法，在所述硅层上形成硅锗层以形成鳍状结构，在所述硅锗层和所述硅层中形成沟道区；

形成跨设于所述沟道区的侧壁和顶面的栅极。

9.如权利要求8所述的多栅极场效应晶体管的制作方法，其特征在于，所述倾斜旋转离子注入的注入离子为硼、磷或砷中的一种或其组合。

10.如权利要求8所述的多栅极场效应晶体管的制作方法，其特征在于，所述圆锥状或圆台体的硅层的母线与所述基底所在面的夹角为0～75°。

11.如权利要求8所述的多栅极场效应晶体管的制作方法，其特征在于，所述硅锗层中锗的摩尔含量为5％～35％。

12.如权利要求8所述的多栅极场效应晶体管的制作方法，其特征在于，所述栅极为多晶硅栅极或金属栅极。

13.如权利要求8所述的多栅极场效应晶体管的制作方法，其特征在于，所述栅极包括栅极介质层和位于所述栅极介质层上的栅极导电层。

14.如权利要求8所述的多栅极场效应晶体管的制作方法，其特征在于，所述鳍状结构的两端区域中形成有源区和漏区。

15.如权利要求8所述的多栅极场效应晶体管的制作方法，其特征在于，所述基底包括半导体层和位于所述半导体层上的氧化层。