[发明专利]一种制备背电场区域接触晶体硅太阳电池的方法

权利要求书

1.一种制备背电场区域接触晶体硅太阳电池的方法，其步骤包括：对硅片磷扩散形成PN结、去除硅片边缘和背结、对硅片正面镀减反膜；其特征是：还包括以下步骤

a、对硅片背表面镀钝化层；

b、在硅片被表面钝化层上刻蚀，形成背电场局部接触窗口；

c、丝网印刷硅片正面电极、背面电极、背面电场，烧结形成欧姆接触。

2.根据权利要求1所述一种制备背电场区域接触晶体硅太阳电池的方法，其特征是:所述的对硅片背表面镀钝化层，为镀单层钝化层或多层钝化层，所述钝化层为氧化硅薄膜、氮化硅薄膜或者氧化铝薄膜。

3.根据权利要求1所述一种制备背电场区域接触晶体硅太阳电池的方法，其特征是:所述的在硅片被表面钝化层上刻蚀，形成背电场局部接触窗口，采用印刷腐蚀浆料腐蚀的方法或者激光烧灼的方法。

4.根据权利要求1、2或3所述一种制备背电场区域接触晶体硅太阳电池的方法，其特征是: 所述的背电场区域接触，其接触方式为线接触方式，接触线为直线或曲线，接触线在硅片内为连续线或间断线，直线接触线或间断直线接触线与硅片边沿线的角度为0°～90°。