[发明专利]一种超低功耗高性能带隙基准源

权利要求书

1.一种超低功耗高性能带隙基准源，包括：

一个参考电流产生电路，包括第一PTAT电路，以及设置在其前级的第一反相器和第二反相器，所述第一反相器和第二反相器提供一个控制信号和一个使能信号，所述第一PTAT电路提供一个基准电平；

一个参考电压产生电路，包括第二PTAT电路及其相连的第一运放电路，所述第二PTAT电路用以产生一个参考电压，所述第一运放电路接受所述基准电平、所述控制信号和所述参考电压，所述第一运放电路上电时具有较大尾电流，能快速进入正常工作状态；

一个基准电压产生电路，包括第三运放电路和其输出连接的一分压电路，以及跨接在第一级输出和第二级输出之间的一补偿电路，所述第三运放电路接受所述控制信号，并比较所述参考电压和所述分压电路的反馈电压，当参考电压低于所述反馈电压，则所述第三运放电路输出电平降低，并使所述反馈电压等于所述参考电压。

2.根据权利要求1所述的超低功耗高性能带隙基准源，其特征在于，

所述控制信号用以当所述参考电压产生电路和所述基准电压产生电路在上电时提供较大的尾电流，能比较快速进入正常工作状态。

3.根据权利要求1或2所述的超低功耗高性能带隙基准源，其特征在于，

所述分压电路包括三个串联的接成二极管形式的MOS管，它的作用好比等值的电阻，所述中间一个MOS管的漏端引出作为所述反馈电压；

所以补偿电路由一电阻和一电容构成RC补偿，用于调整第三运放电路的频率特性。

4.根据权利要求3所述的超低功耗高性能带隙基准源，其特征在于，

所述参考电流产生电路中的所述第一PTAT电路采用电流镜自偏置结构，由两个PMOS接成电流镜，两个NMOS接成电流镜，所述两个NMOS的漏端和所述两个PMOS的漏端分别相连构成。

5.根据权利要求4所述的超低功耗高性能带隙基准源，其特征在于，

所述超低功耗高性能带隙基准源进一步包括一第二稳态防止电路，连接在所述参考电压产生电路前级。

6.根据权利要求5所述的超低功耗高性能带隙基准源，其特征在于，

所述PTAT电路包括两个有比例的PNP管和一电阻构成，所述两个PNP管B端和C端接地，等效于二极管，所述PTAT电路的偏置电流由电压负反馈决定；所述电压负反馈采用一个比较器比较PTAT电路中两个节点电压，产生反馈输出。

7.根据权利要求6所述的新型的超低功耗高性能带隙基准源电路，其特征在于，所述第二稳态防止电路由一个电压反馈电路来实现功能，它的包括一个反相器和两条由NMOS，PMOS组成的分压电路。