[发明专利]具有高红外光吸收率的薄膜太阳能电池及其制程方法

权利要求书

1.一种可提高红外光吸收率的薄膜太阳能电池，其特征在于，包含：

一基板；

一第一透明导电层，形成于该基板上，用于取出电能；

一P型半导体层，形成于该第一透明导电层上，用于产生电洞；

一本质(i)型半导体层，形成于该P型半导体层上，用于提高可见光谱光子的吸收范围；

一N型半导体层，形成于该本质(i)半导体层上，用于产生电子；

一第二透明导电层，形成于该N型半导体层上；以及

一背电极，形成于该第二透明导电层上，用于取出电能；

其中，该第一透明导电层为氧化铟(In₂O₃)与氧化钼(MoO₃)所组成的一氧化铟钼(Indium molybdenum oxides，IMO)化合物，用以提高红外光的吸收率，且该氧化铟钼化合物的氧化铟(In₂O₃)与氧化钼(MoO₃)的重量百分比为99∶1至80∶20之间。

2.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，该第一透明导电层的均方根粗糙度(RMS)于0.5纳米至6.0纳米之间。

3.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，该第一透明导电层的载子迁移率于20cm²/Vs至85cm²/Vs之间。

4.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，该第一透明导电层的可见光穿透率在第一透明导电层厚度为300～800纳米时为80％至90％之间。

5.一种具有高红外光吸收率的薄膜太阳能电池的制程方法，其特征在于，其步骤包含：

(a)提供一基板；

(b)沉积一第一透明导电层于该基板上；

(c)沉积一P型半导体层于该第一透明导电层上；

(d)沉积一本质(i)型半导体层于该P型半导体层上；

(e)沉积一N型半导体层于该本质(i)半导体层上；

(f)沉积一第二透明导电层于该N型半导体层上；以及

(g)沉积一背电极于该第二透明导电层上；

其中，该第一透明导电层为氧化铟(In₂O₃)与氧化钼(MoO₃)所组成的一氧化铟钼(Indium molybdenum oxides，IMO)化合物，用以提高红外光的吸收率，且该氧化铟钼化合物的氧化铟(In₂O₃)与氧化钼(MoO₃)的重量百分比为99∶1至80∶20之间。

6.根据权利要求5所述的制程方法，其特征在于，步骤(b)的该第一透明导电层的均方根粗糙度(RMS)于0.5纳米至6.0纳米之间。

7.根据权利要求5所述的制程方法，其特征在于，步骤(b)的该第一透明导电层的载子迁移率于20cm²/Vs至85cm²/Vs之间。

8.根据权利要求5所述的制程方法，其特征在于，步骤(b)的该第一透明导电层的可见光穿透率在第一透明导电层的厚度为300～800纳米时为80％至90％之间。

9.根据权利要求5所述的制程方法，其特征在于，步骤(b)的沉积该透明导电层的制程为溅镀制程。