[发明专利]一种硅基氮氧化物荧光粉及其制备方法无效
| 申请号： | 201110455854.5 | 申请日： | 2011-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN102559184A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 鲁法春;杨志平;刘泉林 | 申请（专利权）人： | 河北大学 |
| 主分类号： | C09K11/80 | 分类号： | C09K11/80 |
| 代理公司： | 石家庄国域专利商标事务所有限公司 13112 | 代理人： | 苏艳肃 |
| 地址： | 071002 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 硅基氮 氧化物 荧光粉 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种硅基氮氧化物荧光粉，其特征在于化学通式为：(Y1-xCex)4Si2-yAlyO7+yN2-y，其中，0＜x≤0.2，0＜y≤0.25。
2.权利要求1所述的硅基氮氧化物荧光粉的制备方法，其特征在于按以下步骤制备：
（1）按照化学式(Y1-xCex)4Si2-yAlyO7+yN2-y，其中，0＜x≤0.2，0＜y≤0.25的摩尔配比称量原料：二氧化硅；三氧化二钇；三氧化二铝；二氧化铈；多晶硅；
（2）将原料充分混合于无水乙醇或蒸馏水中研磨；
（3）将研磨后的粉末在烘箱中烘干；
（4）将烘干后的粉末用压片机压片；
（5）将压片置于高温炉中，充分抽真空后，充入N2气或N2/H2混合气体，升温至1600－1640℃，烧结3-5小时；
（6）随炉冷却并取出样片，研磨即得荧光粉。
3.根据权利要求2所述的硅基氮氧化物荧光粉的制备方法，其特征在于，
第（3）步中烘干温度为40-45℃。
4.根据权利要求2所述的硅基氮氧化物荧光粉的制备方法，其特征在于，
第（4）步中压片机压片时压强约8-12MPa。
5.根据权利要求2所述的硅基氮氧化物荧光粉的制备方法，其特征在于，第（5）步中，充入N2气或N2/H2混合气体至压力为0.3-1.0MPa。
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