[发明专利]用于处理衬底表面的叶片模块无效
| 申请号: | 201110455475.6 | 申请日: | 2011-12-30 |
| 公开(公告)号: | CN102931119A | 公开(公告)日: | 2013-02-13 |
| 发明(设计)人: | 安吉秀;张承逸;崔钟春 | 申请(专利权)人: | 株式会社MM科技 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明 |
| 地址: | 韩国京畿道安山市檀园区木内*** | 国省代码: | 韩国;KR |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 处理 衬底 表面 叶片 模块 | ||
1.一种叶片模块,用于处理衬底的表面,所述叶片模块包括:
流体提供模块,其在长度方向上朝所述衬底提供选自由蚀刻流体和水组成的群组中的至少一者;
喷气模块,其中喷气喷嘴布置在所述长度方向上,并朝所述衬底喷射流体切割空气;以及
框架,其固定所述流体提供模块的两个相对端以及所述喷气模块的两个相对端,以将所述流体提供模块与所述喷气模块装配在一起。
2.根据权利要求1所述的叶片模块,其中所述流体提供模块包括:
多个流体供给孔,其形成于所述长度方向上;以及
流体提供喷嘴,其朝所述衬底形成,
其中在所述流体供给孔与所述流体提供喷嘴之间形成多级通道。
3.根据权利要求2所述的叶片模块,其进一步包括:
多个第一供给管,其分别附接到所述流体供给孔;以及
第二供给管,其使所述第一供给管互连。
4.根据权利要求1所述的叶片模块,其中所述流体提供模块包括:
储存单元,其中储存有所述蚀刻流体或所述水,且所述蚀刻流体或所述水在所述储存单元上流动;以及
引导单元,其连接到所述储存单元,以在朝所述衬底的方向上引导所述储存单元上满而溢出的所述蚀刻流体或所述水。
5.根据权利要求4所述的叶片模块,其中所述流体提供模块进一步包括通过部分打开所述储存单元的顶部表面以传输所述蚀刻流体或所述水而形成的传输缝。
6.根据权利要求5所述的叶片模块,其中所述流体提供模块进一步包括多个引导槽,其形成于所述储存单元的所述顶部表面上,连接到所述传输缝,且在所述储存单元的宽度方向上向外延伸。
7.根据权利要求5所述的叶片模块,其中所述储存单元包括:
下部储存单元,其包含供所述蚀刻流体或所述水的入口,并连接到所述引导单元;
上部储存单元,其与所述下部储存单元连通,并包含形成于所述上部储存单元的所述顶部表面上的所述传输缝;以及
狭窄通道,其插入所述下部储存单元与所述上部储存单元之间,使所述下部储存单元与所述上部储存单元互连,以允许所述下部储存单元与所述上部储存单元相互连通,且形成为比所述下部储存单元和所述上部储存单元窄。
8.根据权利要求4所述的叶片模块,其中所述储存单元形成为具有矩形横截面,且
所述储存单元进一步包括形成为完全打开所述储存单元的所述顶部表面的开口。
9.根据权利要求4所述的叶片模块,其中所述流体提供单元进一步包括缓冲分区,其在所述储存单元内部布置在水平方向上。
10.根据权利要求9所述的叶片模块,其中所述缓冲分区进一步包括多个缓冲传输孔。
11.根据权利要求9所述的叶片模块,其中所述储存单元连接到流体供给管,且
所述缓冲分区布置在连接所述流体供给管处的上方。
12.根据权利要求4所述的叶片模块,其中所述引导单元形成为锥形。
13.根据权利要求1到12中任一权利要求所述的叶片模块,其中所述喷气模块以倾斜位置安装到所述框架,并沿倾斜方向朝所述衬底喷射流体切割空气。
14.根据权利要求1到12中任一权利要求所述的叶片模块,其中所述框架包括:
一对第一框架,其分别附接到所述喷气模块的两个相对端并包含角度调节缝;以及
一对第二框架,所述一对第一框架分别附接到所述一对第二框架。
15.根据权利要求14所述的叶片模块,其中所述第二框架包括:
附接部分,所述第一框架附接到所述附接部分;以及
支撑部分,其与所述附接部分分离,
其中所述支撑部分附接到使所述一对第二框架互连的支撑框架。
16.根据权利要求1到12中任一权利要求所述的叶片模块,其中所述流体提供模块包括:
第一流体提供模块,其朝所述衬底提供所述蚀刻流体;以及
第二流体提供模块,其朝所述衬底提供所述水。
17.根据权利要求16所述的叶片模块,其中所述框架包括使所述第一流体提供模块与所述第二流体提供模块互连的第三框架。
18.根据权利要求1到12中任一权利要求所述的叶片模块,其进一步包括:
多个第三供给管,其在所述喷气模块的所述长度方向上附接到所述喷气模块;以及
第四供给管,其使所述多个第三供给管互连。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社MM科技,未经株式会社MM科技许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110455475.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





